型号：K4S561632K-UC75
　　制造商：Samsung
　　存储类型：SDRAM
　　存储容量：256 Mbit (4M x 16-bit x 4 banks)
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　封装：54-pin TSOP II
　　时钟频率：最高133 MHz
　　访问时间：7.5 ns
　　数据宽度：16位
　　银行数量：4
　　接口类型：LVTTL
　　刷新模式：自动/自刷新
　　功耗：典型值约300mW（取决于使用情况）

K4S561632K-UC75具备多项关键特性，使其在同代SDRAM产品中表现出良好的性能与稳定性。首先，该芯片采用四体（4-bank）架构设计，允许在不同存储体之间进行交错访问，显著提升了连续数据读写的效率，减少了等待时间，特别适合需要频繁访问内存的应用场景，如图像处理或缓冲区管理。每个存储体独立控制，支持行激活、列读写及预充电操作，通过精密的时序控制实现高效的数据吞吐。
　　其次，该器件支持同步操作，所有输入输出信号均在系统时钟的上升沿采样，确保了与外部控制器之间的精确同步，避免了异步SRAM中存在的地址解码延迟问题。此外，它支持多种突发长度（Burst Length）配置，包括1、2、4、8以及整页模式，用户可根据实际应用需求灵活设置，优化带宽利用率。突发模式下可实现连续地址自动递增，减少地址总线负载，提高整体系统效率。
　　再者，K4S561632K-UC75集成了完整的刷新控制逻辑，支持自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）两种模式。自动刷新由外部控制器定期发出指令完成；而在自刷新模式下，芯片可在系统进入低功耗状态时自主执行刷新操作，极大降低了主控负担并延长了电池供电设备的工作时间，适用于便携式设备或待机节能设计。
　　该芯片还具备低功耗特性，在非活动状态下可通过CKE（Clock Enable）信号关闭内部时钟，进入低功耗待机模式。同时，其CMOS工艺结合LVTTL电平输出，保证了高速传输下的信号完整性和抗干扰能力。54引脚TSOP II封装不仅节省PCB空间，而且具有较好的散热性能和焊接可靠性，适合回流焊工艺的大规模生产。
　　最后，K4S561632K-UC75遵循JEDEC标准的SDRAM协议，兼容性强，能够无缝对接多种处理器平台，如ARM9、PowerPC、DSP等带有原生SDRAM控制器的芯片。虽然当前新型设计更多采用DDR或LPDDR技术，但该型号因其成熟稳定、供货充足（尤其在二手市场或库存件领域）仍在工业维修、设备升级和替代方案中发挥重要作用。

K4S561632K-UC75广泛应用于多种中低端嵌入式系统和消费类电子产品中。典型应用包括网络通信设备，如路由器、交换机和ADSL调制解调器，这些设备通常需要稳定的256Mb级别内存来缓存数据包和运行轻量级操作系统。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，该芯片被用于程序存储缓冲和实时数据采集处理，其工业级温度范围和长期供货稳定性满足了严苛环境下的运行需求。
　　在办公设备领域，打印机、复印机和多功能一体机常采用此类SDRAM作为图像渲染和页面缓冲的临时存储介质，尤其是在处理高分辨率文档或连续打印任务时，充足的内存容量有助于提升响应速度和打印效率。同样，在多媒体播放器、机顶盒和早期的智能电视中，K4S561632K-UC75也扮演着主内存的角色，支持图形界面显示和音视频解码任务。
　　由于其标准化接口和成熟的配套设计资源，该芯片也被广泛用于教育实验平台、开发板和FPGA原型验证系统中，方便工程师快速搭建内存子系统进行功能测试。即使在当前新技术环境下，许多旧设备的维护与备件替换仍然依赖该型号，因此在售后维修市场和库存元器件交易中保持较高的流通性。

IS42S16400-7BL