K4S561632H 时间：2025/7/25 18:11:08 阅读：6

K4S561632H 是由三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM系列。这款芯片具有较高的存储密度和良好的性能，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及需要大容量内存支持的各种电子设备中。K4S561632H 的设计目标是提供高可靠性和低功耗，适用于对内存容量和性能有较高要求的系统。

参数

容量：256Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms

特性

K4S561632H DRAM芯片具有多个显著的特性。首先，其高容量存储能力（256Mbit）使其适用于需要大内存缓冲的应用场景。该芯片采用异步设计，能够在没有同步时钟信号的情况下进行数据访问，这使其在与多种处理器和控制器的接口上更加灵活。
　　K4S561632H 支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。低功耗设计使得该芯片非常适合电池供电设备或对功耗敏感的应用。此外，其工作温度范围广泛（-40°C 至 +85°C），确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。
　　封装形式为TSOP（薄型小外形封装），有助于减少PCB空间占用并提高集成度。此外，K4S561632H 还具有64ms的自动刷新周期，能够有效保持数据完整性，减少了外部控制器的负担。高速访问时间（5.4ns）保证了快速的数据读写能力，适用于高性能系统。

应用

K4S561632H 主要应用于需要大容量内存支持的电子系统中，例如工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、图像处理模块、数据采集设备等。其异步接口设计使其特别适合与多种类型的处理器、FPGA（现场可编程门阵列）和微控制器配合使用。在视频监控系统中，该芯片可以用于缓存图像数据，提高数据处理效率。在通信设备中，K4S561632H 可作为高速数据缓冲器，提升数据传输性能。此外，该芯片也可用于测试设备、医疗仪器和消费类电子产品中，满足对内存容量和性能的高要求。