时间：2025/8/30 19:57:17
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ATV06B200J-HF 是一款由 Advanced Power Technology（简称 Advanced Power Tech）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。该器件符合RoHS环保标准，并采用表面贴装封装（SMD），便于自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：200V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：100W
ATV06B200J-HF 功率MOSFET具有多项关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的Rds(on)最大值为6.5mΩ，在VGS=10V条件下，能够有效降低功率损耗，提升整体系统性能。
其次，该MOSFET具有高耐压特性，漏-源电压（VDS）可达200V，适用于中高压功率转换系统，如AC-DC电源、光伏逆变器和工业电机驱动器等。其高栅极电压容限（±20V）也增强了在复杂驱动环境下的稳定性与可靠性。
此外，ATV06B200J-HF采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的热管理能力，能够有效地将热量传导至PCB，从而提高器件的热稳定性和长期运行可靠性。该封装形式也便于自动化装配，适用于大批量生产。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应了广泛的工业级温度要求，能够在极端环境条件下稳定运行。同时，其符合RoHS标准，符合现代电子产品对环保材料的严格要求。
ATV06B200J-HF MOSFET适用于多种高功率和高效率电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及光伏逆变器等。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在新能源汽车、储能系统和工业自动化设备中也得到了广泛应用。
例如，在电源管理模块中，ATV06B200J-HF可用于高效同步整流电路，显著提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥结构中的开关元件，实现高效、稳定的电机驱动控制。
此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、智能电表和工业自动化控制系统中，作为关键的功率开关元件，提供稳定可靠的电能转换和控制功能。
SiHF20N200-T1-E3, IXFN60N200, FQA60N20
