ATV06B200J-HF 是一款由 Advanced Power Technology(简称 Advanced Power Tech)制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。该器件符合RoHS环保标准,并采用表面贴装封装(SMD),便于自动化生产。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏-源电压(VDS):200V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
功率耗散(PD):100W
ATV06B200J-HF 功率MOSFET具有多项关键特性,使其在高性能电源应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件的Rds(on)最大值为6.5mΩ,在VGS=10V条件下,能够有效降低功率损耗,提升整体系统性能。
其次,该MOSFET具有高耐压特性,漏-源电压(VDS)可达200V,适用于中高压功率转换系统,如AC-DC电源、光伏逆变器和工业电机驱动器等。其高栅极电压容限(±20V)也增强了在复杂驱动环境下的稳定性与可靠性。
此外,ATV06B200J-HF采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有良好的热管理能力,能够有效地将热量传导至PCB,从而提高器件的热稳定性和长期运行可靠性。该封装形式也便于自动化装配,适用于大批量生产。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,适应了广泛的工业级温度要求,能够在极端环境条件下稳定运行。同时,其符合RoHS标准,符合现代电子产品对环保材料的严格要求。
ATV06B200J-HF MOSFET适用于多种高功率和高效率电子系统。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及光伏逆变器等。由于其高耐压和低导通电阻特性,该器件在新能源汽车、储能系统和工业自动化设备中也得到了广泛应用。
例如,在电源管理模块中,ATV06B200J-HF可用于高效同步整流电路,显著提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中,该MOSFET可作为H桥结构中的开关元件,实现高效、稳定的电机驱动控制。
此外,该器件还可用于不间断电源(UPS)、智能电表和工业自动化控制系统中,作为关键的功率开关元件,提供稳定可靠的电能转换和控制功能。
SiHF20N200-T1-E3, IXFN60N200, FQA60N20