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DMN3135LVT-7 发布时间 时间:2025/7/8 21:17:19 查看 阅读:18

DMN3135LVT-7 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用逻辑电平栅极驱动设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率转换的应用中。其封装形式为 TO-263(DPAK),具备良好的散热性能。
  该 MOSFET 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,能够有效减少能量损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极阈值电压:1V 至 2.5V
  工作结温范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  功耗:3.3W

特性

DMN3135LVT-7 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 支持逻辑电平驱动,兼容大多数微控制器或数字信号源。
  4. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 150°C),确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 小巧且高效的 TO-263 封装,便于散热和 PCB 布局设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

DMN3135LVT-7 适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率级开关。
  2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动中的 H 桥或半桥配置。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 消费类电子产品中的快速充电适配器和其他高效能功率管理模块。

替代型号

DMN2990USG-7, IRF7407, AO3400A

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DMN3135LVT-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 115mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds305pF @ 15V
  • 功率 - 最大840mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装TSOT26
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN3135LVT-7DITR