您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF9530NPBF

IRF9530NPBF 发布时间 时间:2024/7/10 14:51:37 查看 阅读:173

IRF9530NPBF是一种N沟道MOSFET,由国际整流器公司(IR)生产。它具有低导通电阻、高开关速度和高温特性等优点,广泛应用于功率转换、电源管理和汽车电子等领域。
  IRF9530NPBF的额定电压为100V,额定电流为14A。它采用TO-220封装,可承受高温和高电压,适合于高功率的电路设计。此外,IRF9530NPBF还具有低漏电流和高耐压能力,可以提高系统的可靠性和稳定性。
  IRF9530NPBF MOSFET的主要特点包括:
  1.低导通电阻:RDS(ON)最小值为0.18Ω,可以减小功率损耗和热量。
  2.高开关速度:具有快速开关特性,可以提高系统的效率和响应速度。
  3.高温特性:能够在高温环境下工作,适用于高温应用领域。
  4.低漏电流:具有较低的漏电流,可以减小能耗和电池损耗。
  5.高耐压能力:具有高耐压能力,可以保证系统的安全性和稳定性。
  总之,IRF9530NPBF是一种优秀的N沟道MOSFET,具有优异的性能和广泛的应用领域,可以为电路设计带来更好的效果和可靠性。

参数与指标

IRF9530NPBF是一款N沟道MOSFET器件,它的主要参数和指标如下:
  1、额定电压:100V
  2、额定电流:14A
  3、通态电阻:0.18Ω(最小值)
  4、门极电压:±20V
  5、工作温度范围:-55℃~175℃
  6、封装形式:TO-220

组成结构

IRF9530NPBF由漏极、源极和栅极三个电极组成。其中,漏极和源极之间的通道是由N型半导体材料构成的,栅极则是一个金属电极,与通道之间通过绝缘层隔离。当栅极施加正向电压时,形成P型电荷区,从而改变通道的电阻,使电流得以流经通道,从而实现开通。当栅极施加负向电压时,使P型电荷区消失,通道的电阻变大,从而实现关断。

工作原理

IRF9530NPBF的工作原理基于场效应管(FET)的原理。在FET中,通过改变栅极电压来控制通道的电阻,从而实现电流的控制。
  在IRF9530NPBF中,当栅极施加正向电压时,栅极与源极之间的电场会引起P型电荷区的形成,从而使通道的电阻减小,电流得以流经通道,从而实现开通。当栅极施加负向电压时,P型电荷区消失,通道的电阻增加,电流无法流经通道,从而实现关断。

技术要点

1、低导通电阻:IRF9530NPBF具有低导通电阻,这意味着在通态时,器件内部的电阻很小,可以减小功率损耗和热量。
  2、高开关速度:IRF9530NPBF具有快速开关特性,可以提高系统的效率和响应速度。
  3、高温特性:IRF9530NPBF能够在高温环境下工作,适用于高温应用领域。
  4、低漏电流:IRF9530NPBF具有较低的漏电流,可以减小能耗和电池损耗。
  5、高耐压能力:IRF9530NPBF具有高耐压能力,可以保证系统的安全性和稳定性。

设计流程

IRF9530NPBF的设计流程如下:
  1、确定工作电压和电流:根据具体应用场景的要求,确定工作电压和电流等参数。
  2、确定工作温度范围:根据具体应用环境的要求,确定工作温度范围。
  3、选择封装形式:根据具体应用场景和系统要求,选择适合的封装形式。
  4、确定电路拓扑结构:选定合适的电路拓扑结构,如单级放大电路、双级放大电路或反相器等。
  5、选择控制电路:根据具体应用场景和系统要求,选择合适的控制电路,如PWM控制电路、PID控制电路等。
  6、确定电路元件:根据系统要求和电路拓扑结构,选定合适的电路元件,如电容、电感、二极管、电阻等。
  7、进行仿真和优化:使用仿真软件对电路进行仿真和优化,确保电路的性能和稳定性。
  8、进行实验验证:将设计好的电路进行实验验证,检测电路的性能和稳定性,进行必要的调整和优化。

注意事项

1、在使用IRF9530NPBF时,应注意器件的极性和封装形式。
  2、在使用IRF9530NPBF时,应注意电路的设计和布局,避免高温和高电压等因素对器件的影响。
  3、在使用IRF9530NPBF时,应注意电路的保护和维护,避免过流、过压等因素对器件的损坏。
  4、在使用IRF9530NPBF时,应注意器件的散热和温度控制,避免过热对器件的影响。

IRF9530NPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF9530NPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF9530NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9530NPBF