类型：SDR SDRAM
　　容量：64 Mbit（4M x 16）
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装形式：54-pin TSOP-II
　　数据速率：最高133 MHz
　　访问时间：7.5ns（-TC75）、10ns（-TC1L）
　　逻辑电平：LVTTL
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　Banks数量：2个独立Bank
　　地址/数据复用：支持
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　制造工艺：CMOS技术

K4S561632A-TC1L作为一款经典的同步动态随机存取存储器，在架构设计与功能实现上体现出多项关键技术优势。首先，它采用了同步接口机制，使所有输入输出信号均以系统时钟为基准进行锁存和传输，从而显著提升了数据吞吐的确定性和系统的整体稳定性。这种同步工作机制允许控制器精确预测每个读写周期的时间开销，避免了异步DRAM常见的等待状态问题，特别适合构建实时性要求较高的嵌入式系统。
　　其次，该芯片内部采用二维阵列结构，包含4,194,304个存储单元，按4,096行×1,024列的方式组织，并划分为两个独立可寻址的Banks。这样的Bank架构使得在一个Bank执行预充电或刷新操作的同时，另一个Bank可以继续响应读写命令，有效提高了内存带宽的利用率，减少了访问延迟。同时，支持页模式（Page Mode）和突发传输模式（Burst Mode），允许连续访问同一行内的多个列地址，进一步优化了连续数据流的处理效率。
　　再者，K4S561632A-TC1L集成了完整的控制逻辑电路，支持标准SDRAM指令集，包括激活（Activate）、读取（Read）、写入（Write）、预充电（Precharge）、自动刷新（Auto Refresh）及模式寄存器设置（MRS）。其中，模式寄存器允许用户配置突发长度、突发类型（顺序或交错）、CAS等待时间（CL=2或CL=3）等关键参数，增强了应用灵活性。芯片还具备低功耗特性，支持自刷新模式（Self-refresh），在此模式下仅需维持时钟使能无效并触发自刷新命令，即可由内部振荡器驱动刷新操作，大幅降低待机功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。
　　最后，该器件基于成熟的CMOS制造工艺，具备良好的抗噪声能力和热稳定性，结合TSOP-II小尺寸封装，便于在紧凑型电路板上实现高密度布线。虽然其最大带宽相较于现代DDR内存有限，但在其时代背景下，K4S561632A-TC1L以其性价比高、兼容性强和易于设计导入的特点，成为许多经典电子产品的核心内存解决方案之一。

K4S561632A-TC1L主要用于各类需要中等容量同步动态内存的电子系统中。典型应用包括20世纪末至21世纪初的PC主板和内存模组，尤其是符合PC100和PC133标准的SDRAM DIMM条，常用于台式计算机和工作站中作为主存储器扩展。此外，该芯片也广泛应用于工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）设备和数控机床，用于缓存运行程序代码和实时数据采集结果。
　　在网络通信设备领域，K4S561632A-TC1L常见于早期的路由器、交换机、ADSL调制解调器和防火墙设备中，承担数据包缓冲、路由表存储和协议处理任务。由于其具备稳定的突发读写能力和较低的访问延迟，能够有效支撑网络处理器的高速数据交换需求。
　　在消费类电子产品方面，该芯片曾被用于激光打印机、多功能一体机、数字复印机等办公设备，用于图像渲染缓存和页面描述语言解析过程中的临时存储。同时，在部分老款液晶电视、机顶盒和DVD播放器中也有应用，协助完成视频解码和图形叠加处理。
　　此外，K4S561632A-TC1L也被用于医疗仪器、测试测量设备以及军事通信终端等专业领域，因其长期供货记录良好且可靠性经过验证，适合用于对生命周期要求较长的工业项目。尽管目前已逐渐退出主流市场，但在设备维修、备件替换和旧系统维护中仍然具有实际使用价值。

K4S561632A-UC60
　　MT48LC16M16A2P-75
　　IS42S16100D-7TL