时间：2025/6/12 18:07:07
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GA0805Y184KBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，主要用于需要高密度数据存储的应用场景。该芯片基于先进的制程工艺设计，具有低功耗、高速读写和高可靠性的特点。其封装形式为 BGA，适合用于对空间要求较高的紧凑型设备中。
该型号属于特定厂商生产的一系列存储芯片之一，通常用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域的数据缓存或固态存储扩展。
类型：NAND Flash
容量：8GB
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保存时间：超过10年
擦写寿命：3000次（典型值）
GA0805Y184KBXBT31G 具有以下显著特性：
1. 高性能：采用 Toggle DDR 2.0 接口协议，支持高达 200MT/s 的数据传输速率。
2. 低功耗：优化的电路设计使其在待机和活动模式下的功耗都极低，非常适合电池供电设备。
3. 高可靠性：内置 ECC（错误校正码）引擎，能够自动检测并修正数据错误，确保数据完整性。
4. 耐用性：具备较长的数据保存时间和足够的擦写寿命，适用于频繁写入的应用环境。
5. 小尺寸封装：BGA 封装使其能够集成到更紧凑面积。
这款芯片广泛应用于多种领域：
1. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和智能手表中的存储扩展。
2. 工业控制：包括数据记录仪、监控系统和自动化控制器中的数据缓存。
3. 通信设备：路由器、交换机和其他网络设备中的日志存储和固件备份。
4. 医疗设备：如便携式医疗监测仪器的数据存储模块。
此外，它也常被用作外部存储器扩展以补充主处理器内部有限的存储资源。
GA0805Y184KBXBT32G, GA0805Y184KBXBT30G
