型号：K4S511632C-KC75
　　制造商：Samsung
　　类型：CMOS SDRAM
　　容量：32 Mbit (4 MB)
　　组织结构：512K x 16-bit x 4 banks
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　最大访问时间：7.5 ns
　　时钟频率：最高133 MHz (对应7.5ns周期)
　　数据速率：单倍数据速率 (SDR)
　　封装类型：54-pin TSOP II
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　地址线数量：A0-A11, BA0-BA1
　　数据线宽度：DQ0-DQ15
　　控制信号：/CS, /RAS, /CAS, /WE, CLK, CKE

K4S511632C-KC75具备多项关键特性，使其在众多SDRAM产品中具有良好的性能表现和应用适应性。首先，该芯片采用四银行（4-bank）架构设计，允许在不同银行之间交错访问，显著提高了内存带宽利用率，特别是在连续读写操作中可有效减少等待时间，提升整体系统响应速度。每个银行独立控制行和列地址，支持快速切换，增强了并发处理能力。
　　其次，该器件支持同步时钟操作，所有命令和数据传输均在时钟上升沿触发，确保了时序一致性与抗干扰能力，适用于高频工作的数字系统。配合CKE（Clock Enable）信号，可以实现时钟挂起功能，在不需要内存访问时关闭内部时钟以节省功耗，这在便携式设备或待机模式下尤为重要。
　　再者，K4S511632C-KC75集成了完整的刷新控制机制，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）两种模式。自动刷新由外部控制器定期发出指令完成；而自刷新模式则可在系统进入低功耗状态时启用，由芯片内部自行管理刷新过程，无需外部干预，极大降低了主控负担并延长电池寿命。
　　此外，该芯片采用LVTTL电平接口，与大多数3.3V逻辑器件完全兼容，简化了系统级联设计。其TSOP II封装具有优良的散热性能和电气特性，适合回流焊工艺，满足现代自动化生产的需求。尽管该型号已逐步被更先进的DDR SDRAM所取代，但在一些老旧工业设备、通信模块和特定嵌入式平台上仍保有广泛应用，备件需求稳定。

K4S511632C-KC75广泛应用于多种需要可靠、中等容量存储的电子系统中。典型应用领域包括网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中该芯片用于缓存数据包、存储临时会话信息以及支持协议处理任务。在这些设备中，其高速访问能力和多银行结构有助于提升数据吞吐效率，保障通信流畅性。
　　另一重要应用是嵌入式控制系统，例如工业PLC、HMI人机界面和自动化仪表。在这些系统中，K4S511632C-KC75常作为主处理器的外部扩展内存，用于运行实时操作系统或存储运行时变量和图形缓冲区。其稳定的时序特性和良好的温度适应性确保了工业环境下长期运行的可靠性。
　　此外，该芯片也被用于消费类电子产品，如老款液晶电视、机顶盒、数码相框和多媒体播放器。在这些设备中，它通常用于图像帧缓存或音频数据缓冲，尤其是在需要短暂存储大量视觉信息的场合表现出色。由于其3.3V供电特性，能够很好地匹配当时的主流SoC平台，无需额外电平转换电路，降低了系统复杂度。
　　在医疗仪器、测试测量设备和POS终端中也有使用记录，主要用于程序加载和运行时数据暂存。虽然目前新型设计更多转向DDR或LPDDR方案，但K4S511632C-KC75因其供货周期长、技术成熟，在维修替换和旧设备维护市场中依然具备重要价值。

K4S511632C-KC75T
　　IS42S16320B-7TLI
　　MT48LC16M16A2P-75
　　CY7C1325G-75BAXC