时间：2025/6/28 19:06:47
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CGA2B2C0G1H020C050BD是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了整体效率并降低了功耗。此外，它还具有良好的热性能和耐受能力，适用于高电流和高电压的工作环境。
型号：CGA2B2C0G1H020C050BD
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：0.04Ω
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：2200pF
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
这款功率MOSFET芯片具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度设计，支持高频应用场合。
3. 内置ESD保护功能，增强了芯片的可靠性和抗干扰能力。
4. 良好的热稳定性，确保在极端条件下的正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 封装形式采用TO-247，便于散热和安装。
CGA2B2C0G1H020C050BD广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. 工业用DC-DC转换器。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 汽车电子系统的电力管理模块。
6. 高压大电流电路的切换与控制。
IRFP460, STP30NF65, FDP18N65
