制造商：Samsung
　　产品类型：Mobile DRAM
　　内存类型：LPDDR4X SDRAM
　　内存配置：8Gb（1 Gigabit x 8 / 8通道）
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.8V / 1.1V
　　IO电压：1.1V
　　核心电压：0.6V（自适应调节）
　　时钟频率：最高支持1600MHz
　　数据速率：最高3200 Mbps（Gbps级带宽）
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：90-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-55°C 至 +100°C
　　刷新模式：支持自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）
　　封装尺寸：约9mm x 13mm x 0.8mm
　　接口类型：差分时钟输入（CK_t/CK_c），源同步数据选通（DQS_t/DQS_c）
　　突发长度：BL=16（可配置为BC4或MC4模式）
　　最大电流消耗：动态工作状态典型值<50mA（视频率和负载而定）
　　支持命令集：标准化LPDDR4X指令集，包括读写、预充电、激活、刷新等操作

K4S28323LF-HN1H 具备卓越的性能与能效平衡能力，其核心特性之一是采用了LPDDR4X架构，在保持与LPDDR4高兼容性的同时进一步优化了功耗表现。该芯片通过将I/O电压降至1.1V（相比传统1.2V更低），显著降低了高速数据传输过程中的动态功耗，特别适合对热管理要求严苛的便携式设备。同时，其内部核心电压采用0.6V自适应调节技术，配合先进的电源管理模式，可在不同负载条件下智能调整供电水平，从而最大限度地减少能耗。
　　另一个关键特性是高达3200 Mbps的数据传输速率，支持双通道（Dual Channel）架构，每个通道独立运行，提升整体带宽利用率。这种设计允许系统在执行图形渲染、多任务处理或高清视频播放等高负载任务时仍保持流畅响应。此外，器件支持多种低功耗状态，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、时钟停止（Clock Stop）及自刷新模式，能够在屏幕关闭或后台待机时大幅降低漏电流，延长电池寿命。
　　该芯片还具备出色的信号完整性设计，采用差分时钟输入和源同步数据选通机制，有效抑制噪声干扰，提高数据采样的准确性与稳定性。其内置的ZQ校准功能可实时调整输出驱动阻抗和ODT（On-Die Termination），以适应PCB走线变化和环境温漂影响，确保高速运行下的可靠通信。此外，K4S28323LF-HN1H 支持部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）功能，允许用户选择性地关闭未使用内存区段，进一步节省电力。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的工业级温度测试，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，满足各类复杂应用场景的需求。其90球FBGA封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化贴片生产，并支持高密度PCB布局。整体而言，K4S28323LF-HN1H 在速度、功耗、稳定性和集成度之间实现了理想平衡，是现代高端移动平台的理想内存解决方案。

K4S28323LF-HN1H 广泛应用于对内存带宽和功耗控制有严格要求的移动和嵌入式电子设备中。其主要应用领域包括高端智能手机和平板电脑，这些设备通常需要处理复杂的图形界面、多任务操作系统、4K视频解码以及人工智能运算，因此依赖于高速、低延迟的内存支持。该芯片能够为应用处理器（如高通骁龙、联发科天玑、三星Exynos等）提供充足的临时数据缓存空间，显著提升系统整体响应速度与用户体验。
　　此外，该器件也常见于超轻薄笔记本电脑（Ultrabooks）和二合一移动设备中，作为主内存模块的一部分，协助实现快速启动、无缝多窗口切换和高效的云服务访问。在车载信息娱乐系统（IVI）中，K4S28323LF-HN1H 可用于支持高清导航、语音识别、车联网通信等功能，确保系统在各种驾驶环境下都能稳定运行。
　　在工业控制与物联网边缘计算设备中，该芯片因其宽温工作能力和高可靠性而受到青睐，适用于需要长时间连续运行的智能网关、AI推理终端、机器视觉系统等场景。同时，它也可用于AR/VR头显设备，为实时图像渲染和空间定位算法提供必要的内存带宽支持。由于其符合RoHS环保标准且具备良好的供应链稳定性，K4S28323LF-HN1H 成为众多OEM厂商在新一代电子产品设计中的优选内存方案。