类型：Mobile SDRAM
　　容量：64Mbit（4M x 16位）
　　工作电压：2.5V ± 0.25V
　　数据速率：133MHz
　　组织结构：4 Banks x 4M Words x 16 Bits
　　封装形式：小型FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数量：90-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：约7.5ns
　　刷新周期：64ms / 8192 rows ≈ 7.8μs per row
　　接口类型：CMOS
　　时钟频率：133MHz
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8字节突发模式
　　预充电命令支持：支持自动与手动预充电
　　掉电模式：支持标准掉电与自刷新掉电模式

K4S281632D-NU1L具备多项优化设计，以满足移动设备对性能与能耗的双重需求。首先，该芯片采用了低电压CMOS工艺，在保证数据传输速率的同时显著降低了功耗，特别适用于电池供电的应用场景。其核心电压为2.5V，I/O电压也为2.5V，相较于传统SDRAM的3.3V供电，有效减少了动态功耗。其次，该器件支持多种电源管理功能，包括自动刷新、自刷新（Self-refresh）和掉电模式（Power-down Mode）。在自刷新模式下，芯片内部逻辑可以自主完成刷新操作而无需外部时钟参与，从而大幅降低待机状态下的电流消耗，延长设备待机时间。
　　该芯片拥有四组独立的存储体（4 Banks），支持交错式访问，提高了整体的数据吞吐效率。通过合理调度不同Bank之间的读写操作，系统可以在一个Bank进行预充电或刷新的同时访问其他Bank，实现更高的并发处理能力。此外，它支持可编程的突发长度（Burst Length），允许根据实际应用需求选择1、2、4或8个字节的突发传输模式，提升了总线利用率和系统灵活性。
　　K4S281632D-NU1L还具备良好的信号完整性和抗干扰能力，采用差分时钟输入（CK/CKB）来增强时序稳定性，确保高速操作下的可靠性。地址与控制信号在时钟上升沿采样，符合同步设计原则，简化了控制器的设计复杂度。其小型化的FBGA封装不仅节省PCB空间，还有利于高频信号布线和散热管理，适合高密度组装环境。尽管该型号已不再主流生产，但其稳定性和成熟的设计使其在部分工业控制、医疗设备和旧款消费电子产品中仍有应用价值。

K4S281632D-NU1L主要用于各类需要中等容量、低功耗存储解决方案的便携式电子设备中。典型应用包括早期的智能手机和平板电脑，这些设备在追求轻薄化的同时，对内存的功耗和体积提出了较高要求，而该芯片的低电压特性和紧凑封装恰好满足此类需求。此外，它也被广泛用于多媒体播放器、数码相机和便携式导航设备中，作为主处理器的临时数据缓存或图形缓冲区使用，支持图像解码、视频播放和用户界面渲染等任务。
　　在嵌入式系统领域，该芯片常被集成于工控主板、POS终端、车载信息娱乐系统以及小型物联网网关中，为运行实时操作系统或轻量级Linux系统提供必要的RAM资源。由于其支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），因此也能适应较为严苛的工作环境，如户外设备或高温车间中的监控装置。另外，在一些教育类开发板或实验平台上，K4S281632D-NU1L曾作为典型的Mobile SDRAM范例用于教学演示和驱动程序开发练习，帮助工程师理解SDRAM的初始化流程、时序控制和刷新机制。
　　虽然随着技术进步，目前主流设备已转向更高密度、更低电压的LPDDR系列内存，但K4S281632D-NU1L仍在产品维修、备件替换和老旧系统维护中发挥作用。尤其是在无法更换主板或升级架构的情况下，该芯片仍是恢复设备功能的关键组件之一。

K4S281632D-UC1H
　　K4S281632D-UC1L
　　MT48LC16M16A2P-75 IT:G