时间：2025/11/10 14:21:41
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K4M56323LE-EE1H 是由三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于DDR2 SDRAM系列。该器件采用LFBGA封装，具有较高的存储密度和数据传输速率，适用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。K4M56323LE-EE1H 的存储结构为512Mb（64MB），组织形式为8M x 32位，工作电压为1.8V ±0.1V，符合低功耗DDR2标准。该芯片广泛应用于消费类电子产品、网络设备、工业控制模块以及嵌入式系统中，作为主内存或缓存使用。其设计支持自动刷新、自刷新模式和温度补偿自刷新等功能，能够在不同环境条件下保持数据完整性与稳定性。此外，该芯片具备良好的电气兼容性和热性能，适合在紧凑型PCB布局中使用，并可通过多芯片堆叠方式提升系统整体内存容量。
型号：K4M56323LE-EE1H
制造商：Samsung
类型：DDR2 SDRAM
存储容量：512 Mbit (64 MB)
组织结构：8M x 32 bits
工作电压：1.8V ±0.1V
最大访问时间：@ -40°C to +85°C
封装类型：LFBGA
引脚数：90-pin
时钟频率：最高支持333MHz (等效于DDR2-667)
数据速率：667 Mbps per pin
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
输入/输出电平：SSTL_18
K4M56323LE-EE1H 具备多项先进的技术特性，使其在DDR2内存产品中具有较高的可靠性和性能表现。首先，该芯片采用了双倍数据率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提升了数据吞吐能力。其核心频率可达166.7MHz，通过2n预取架构实现等效667Mbps的数据速率，满足对高速数据交换的需求。其次，该器件支持多种省电模式，包括待机模式、预充电待机模式、活动待机模式、自刷新模式和深度掉电模式，能够根据系统运行状态动态调整功耗，特别适用于移动设备和便携式系统。
该芯片内置温度传感器并支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据环境温度自动调节刷新周期，既保证了数据保持的可靠性，又降低了不必要的电流消耗。此外，它还具备可编程CAS延迟（CL=3, 4, 5, 6）、突发长度（BL=4或8）和突发类型选择，增强了系统的灵活性与兼容性。所有控制信号均在时钟上升沿触发，确保了操作的同步性和时序准确性。为了提高信号完整性和抗干扰能力，其输入接收器采用SSTL_18标准，具备良好的噪声抑制能力。
K4M56323LE-EE1H 还支持ZQ校准功能，用于动态补偿输出驱动阻抗和片内终端电阻（ODT），以应对由于工艺、电压和温度变化引起的阻抗漂移问题，从而维持稳定的信号质量。该芯片采用小型化的90球LFBGA封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，并支持多芯片堆叠（Package-on-Package, PoP）结构，便于构建更高容量的内存子系统。整体设计符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于各类商业和工业级应用场景。
该芯片广泛应用于需要中等容量高速内存的电子设备中，典型应用包括数字电视、机顶盒、网络路由器、打印机控制器、工业自动化设备、车载信息娱乐系统以及中低端嵌入式处理器平台。其高集成度和低功耗特性也使其适用于某些便携式医疗设备和测试仪器中的临时数据缓存需求。此外，由于其良好的温度适应性，可在工业级环境中长期稳定运行。
K4M56323LE-ECJ4
K4M56323LE-EF7E
MT47H64M32LF-6:P
