您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > K4M561633G-BN75

K4M561633G-BN75 发布时间 时间:2025/4/28 16:08:03 查看 阅读:3

K4M561633G-BN75是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM内存芯片,属于移动设备和嵌入式系统中常用的存储解决方案。该芯片主要应用于智能手机、平板电脑以及其他对功耗和性能要求较高的便携式电子设备。
  这款芯片具有低功耗特性,支持1.35V工作电压,同时具备高速数据传输能力,能够满足现代移动设备对高性能内存的需求。

参数

容量:512Mb
  类型:DDR3 SDRAM
  位宽:16bit
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装形式:FBGA
  引脚数:96
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

K4M561633G-BN75是一款高度集成的DDR3内存芯片,具有以下特点:
  1. 高速数据传输:支持高达1600Mbps的数据速率,适用于高性能计算和图形处理场景。
  2. 低功耗设计:采用1.35V工作电压,有效降低能耗,适合移动设备使用。
  3. 小型封装:采用96球FBGA封装,节省电路板空间。
  4. 广泛的工作温度范围:支持从-40°C到+85°C的工作环境,确保在各种条件下稳定运行。
  5. ECC支持:可选配纠错码功能,提升数据可靠性。
  6. 环保材料:符合RoHS标准,不含铅等有害物质。

应用

K4M561633G-BN75广泛应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的领域,包括但不限于:
  1. 智能手机和平板电脑:
   提供快速的应用程序加载和流畅的多任务处理体验。
  2. 嵌入式系统:
   用于工业控制、医疗设备和其他需要可靠内存的嵌入式应用。
  3. 数字电视和机顶盒:
   支持高清视频解码和复杂的用户界面渲染。
  4. 车载娱乐系统:
   提供稳定的多媒体播放和导航功能。

替代型号

K4M561633H-BN75, K4M561633F-BN75

K4M561633G-BN75推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价