TMK325B7106KM-TD 是一款高性能的功率 MOSFET,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能量损耗。
它具有出色的热性能和电气性能,使其在高频开关应用中表现优异。此外,其封装设计优化了散热性能,适用于各种高功率密度的设计需求。
型号:TMK325B7106KM-TD
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):80A
f(工作频率范围):最高支持500kHz
封装形式:TO-247
结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高雪崩能力,提供更强的过载保护功能。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
5. 内部集成的ESD保护电路提升了器件的可靠性。
6. 改进的热阻特性确保在高温环境下稳定运行。
7. 具备优秀的栅极驱动兼容性,便于与各类控制器搭配使用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. DC-DC转换器及LED照明驱动电路。
6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
7. 各类需要高效功率管理的便携式设备。
TMK325B7106JM-TD
FDMQ8205
IRFZ44N
STP80NF06L