类型：SDR SDRAM
　　密度：256 Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装类型：TSOP-I, 54-pin
　　时钟频率：最高133 MHz
　　数据速率：133 Mbps/pin
　　CAS 延迟：2 或 3
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　刷新模式：自动/自刷新
　　突发长度：1, 2, 4, 8
　　地址/数据复用：是
　　逻辑电平：LVTTL
　　写使能：支持
　　片选信号：支持
　　时钟使能：支持

K4M51163PE-PG1L 具备多项关键特性，使其在同期SDRAM产品中表现出良好的兼容性与可靠性。首先，该芯片采用同步设计机制，所有操作均与时钟信号严格同步，确保在高速运行下仍能维持数据完整性。其核心频率可达133MHz，配合16位数据宽度，理论峰值带宽可达2133MB/s（133MHz × 16bit ÷ 8），满足当时多数嵌入式系统的性能需求。芯片内部由四个独立的存储体（Banks）构成，每个存储体包含8,192行和2,048列，通过分时激活不同存储体实现重叠操作，显著减少等待时间并提升连续读写效率。
　　该器件支持标准的突发传输模式，包括线性和交错两种方式，用户可通过模式寄存器自由设定突发长度（1、2、4、8）及起始地址顺序。CAS（列地址选通）延迟可编程设置为2或3个时钟周期，适应不同的系统时序裕量要求。在低功耗方面，K4M51163PE-PG1L 集成了自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）功能，在系统空闲或待机状态下可有效降低功耗，延长设备使用寿命，尤其适合对能耗敏感的应用场景。
　　电气特性方面，该芯片使用LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）电平标准，输入信号具有较高的噪声容限，增强了抗干扰能力。所有控制信号（如RAS、CAS、WE、CS）均在时钟上升沿锁存，简化了时序控制逻辑设计。此外，地址总线与数据总线分离，但地址线在行/列寻址阶段复用，减少了引脚数量，有利于缩小封装尺寸。其54引脚TSOP-I封装不仅便于自动化贴装，也具备良好的散热性能，适用于长时间稳定运行的工业环境。整体而言，K4M51163PE-PG1L 在设计上兼顾了性能、功耗与成本，是一款典型的成熟型SDR SDRAM解决方案。

K4M51163PE-PG1L 主要应用于各类需要稳定可靠内存支持的中低端嵌入式系统和通信设备。常见用途包括宽带接入设备如ADSL调制解调器、家庭网关、小型路由器和以太网交换机，这些设备通常搭载基于ARM或MIPS架构的处理器，对内存带宽和容量要求适中，而K4M51163PE-PG1L 正好满足其3.3V供电和SDR接口的需求。此外，该芯片也被广泛用于早期的数字机顶盒、DVD播放器、多媒体终端等消费电子领域，作为主存或视频缓冲存储器使用。
　　在工业控制方面，K4M51163PE-PG1L 因其较长的生命周期和稳定的供货记录，曾被用于PLC控制器、人机界面（HMI）、工业显示器和自动化仪表中。由于其工作温度范围为0°C至70°C，虽不支持扩展温区，但在常温工业环境中仍具足够可靠性。另外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等专业设备中也有一定应用基础。尽管当前新设计普遍转向DDR2/DDR3甚至LPDDR系列内存，但由于存量设备维护需求旺盛，K4M51163PE-PG1L 仍在售后替换市场和备件供应链中保持活跃。同时，一些教育实验平台和开发板为了简化电路设计，也会选用此类引脚清晰、时序明确的传统SDRAM芯片进行教学演示。

K4M51163PE-GC75
　　K4M51163PE-PG07
　　IS42S16100D-7BLI
　　IS42S16100E-7BLI
　　MT48LC16M16A2P-7A:G
　　W981216BH-75