型号：K4H561638D-UCCC
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　容量：512M x 16 (8Gb)
　　封装：TSOP II
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　工作温度：0°C 至 95°C
　　数据速率：800 Mbps (DDR3-1600)
　　时钟频率：800 MHz
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs
　　访问时间：约10ns
　　引脚数：84-pin

K4H561638D-UCCC 具备多项关键技术特性，使其在众多DDR3内存产品中脱颖而出。首先，该芯片采用了先进的CMOS制造工艺，具备低功耗与高可靠性的双重优势，特别适合长时间连续运行的工业及通信设备使用。其核心运行电压为1.5V，在当时的技术背景下有效降低了系统整体功耗，并支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）模式，进一步优化了待机状态下的能耗表现。
　　其次，K4H561638D-UCCC 支持双倍数据率（DDR）技术，能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现高达800 Mbps的数据传输速率（对应DDR3-1600规格）。这种高效的数据吞吐能力显著提升了系统的内存带宽，满足图形处理、多任务操作系统和大数据缓存等应用场景的需求。
　　此外，该芯片集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写操作期间自动启用内部终端匹配，减少信号反射，提高信号完整性，确保在高频工作条件下的稳定性和抗干扰能力。它还支持多种省电模式，包括突发长度可编程（Burst Length Programmable）、部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）等功能，允许系统根据实际负载动态调整内存功耗，延长电池供电设备的续航时间。
　　从可靠性角度看，K4H561638D-UCCC 经过严格的质量测试，具备良好的温度适应性，可在0°C至95°C的工业级工作温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的应用。其TSOP II封装结构也提供了较好的机械强度和焊接可靠性，便于自动化贴片生产，提升整机良率。整体而言，这些特性使K4H561638D-UCCC 成为一款性能均衡、适用范围广泛的DDR3内存解决方案。

K4H561638D-UCCC 主要应用于对内存性能和稳定性有较高要求的电子系统中。常见用途包括台式机和笔记本电脑中的内存条（DIMM/SO-DIMM）设计，尤其是在早期普及型DDR3平台中被广泛采用。由于其具备16位数据宽度和512Mx16的组织结构，该芯片也常用于构建中小容量的板载内存模块，适用于路由器、交换机、防火墙等网络通信设备，以支持高速数据包缓存和路由表存储。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、人机界面（HMI）、工业PC和数控机床等设备中，为实时控制系统提供可靠的运行内存支持。其稳定的电气特性和宽温工作能力确保在复杂电磁环境和高温环境下仍能保持正常工作。
　　此外，K4H561638D-UCCC 也被用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、多媒体播放器等，用以支撑图形渲染、视频解码和多任务调度所需的内存资源。在医疗设备、测试仪器和嵌入式视觉系统中，该芯片同样发挥着重要作用，保障系统在长时间运行中的数据完整性和响应速度。总之，凡是需要高性能、低功耗、高可靠性的DDR3内存支持的场合，K4H561638D-UCCC 都是一个成熟且值得信赖的选择。

K4B561638D-HCHC
　　MT46V512M16-8B:
　　IS43TR16512B-8BLI