时间：2025/11/12 16:14:20
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K4H561638B-TCB0是一款由三星（Samsung）生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于DDR3 SDRAM系列。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备高密度、低功耗和高速数据传输能力，广泛应用于需要大容量内存支持的电子设备中。K4H561638B-TCB0的具体配置为512M x 16位结构，总容量达到8Gbit（即1GB），工作电压为1.5V标准DDR3电压，兼容JEDEC标准接口规范，确保与其他系统组件的良好互操作性。该芯片封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有良好的电气性能和散热特性，适合在紧凑型电路板设计中使用。其主要目标应用包括个人计算机、笔记本电脑、图形卡、网络通信设备以及工业控制和嵌入式系统等。由于其高带宽和稳定的数据存取能力，K4H561638B-TCB0在多任务处理和大数据吞吐场景下表现优异。此外，该器件支持自动刷新、自刷新模式和部分阵列自刷新等功能，有助于降低功耗并提升能效，在待机或轻负载状态下有效延长系统续航时间。作为三星DDR3产品线中的成熟型号之一，K4H561638B-TCB0在市场上拥有较高的可靠性和长期供货保障，适用于对稳定性要求较高的工业级和消费类电子产品。
型号：K4H561638B-TCB0
制造商：Samsung
存储类型：DDR3 SDRAM
组织结构：512M x 16 Bit
总容量：8Gbit (1GB)
工作电压：1.5V ±0.075V
数据速率：800 Mbps / 1600 MT/s
时钟频率：800 MHz
封装类型：FBGA
引脚数：96-ball
工作温度范围：0°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +85°C
最大刷新周期：64ms / 8192 rows
访问时间：约10ns
接口类型：CMOS
是否支持ECC：否
K4H561638B-TCB0具备多项关键技术特性，使其在DDR3内存市场中具有显著优势。首先，该芯片采用双倍数据率（DDR）架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现数据传输速率翻倍的效果。结合800MHz的有效时钟频率，可达到1600MT/s的峰值传输速率，显著提升了系统的整体带宽表现。其次，该器件内部采用多Bank架构设计，包含多个独立操作的存储阵列，允许交错访问不同Bank以提高并发处理能力，减少等待时间，优化读写效率。此外，K4H561638B-TCB0支持多种省电模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和电源关闭（Power Down）模式，能够在系统空闲期间主动降低功耗，特别适用于对能效敏感的应用场景，如便携式设备和绿色计算平台。
该芯片还集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部终端匹配阻抗，有效抑制信号反射，改善信号完整性，提升高频工作的稳定性。同时，它支持写入水平化（Write Leveling）和动态ODT控制功能，进一步增强了在高速运行下的抗干扰能力和时序精度。K4H561638B-TCB0遵循JEDEC JESD79-3标准，确保与主流处理器、内存控制器和主板设计的兼容性。其FBGA-96封装尺寸小巧，热阻低，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的散热性能和机械可靠性。此外，该器件经过严格的质量测试，支持长时间连续运行，具备出色的耐久性和环境适应性，可在工业级温度范围内稳定工作，满足严苛应用场景的需求。
K4H561638B-TCB0广泛应用于多种需要高性能内存支持的电子系统中。在消费类电子产品方面，常用于台式机、笔记本电脑和一体机等个人计算设备中，作为主内存模块的核心组成部分，提供快速的数据存取能力，支持多任务并行处理和大型应用程序流畅运行。在图形处理领域，该芯片可用于独立显卡或集成显示系统的帧缓冲区，助力高清视频播放、3D渲染和游戏画面实时生成。在网络通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，K4H561638B-TCB0被用作数据包缓存和临时存储单元，保障高速数据流的低延迟转发与处理。
在工业自动化和嵌入式系统中，该器件适用于PLC控制器、HMI人机界面、工业PC和边缘计算网关等设备，支持复杂控制逻辑和实时数据采集需求。此外，在数字电视、机顶盒、智能监控摄像头等多媒体终端中，该内存芯片可支撑高清图像解码、视频流缓冲和操作系统运行所需的内存资源。由于其高可靠性和稳定的性能表现，也逐渐被应用于医疗电子设备、车载信息娱乐系统和航空电子系统等对安全性要求较高的领域。总之，K4H561638B-TCB0凭借其大容量、高速度和低功耗特性，成为现代电子系统中不可或缺的关键元件之一。
K4B4G1646F-BCMA
MTC512M16AZ-16IT
