时间：2025/10/11 6:39:58
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28FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的串行闪存芯片，属于其高性能、低功耗的SPI NOR Flash产品系列。该器件专为需要高可靠性、快速读取和代码执行能力的应用场景设计，广泛应用于工业控制、汽车电子、网络通信以及嵌入式系统中。该型号采用先进的浮栅技术制造，具备出色的耐久性和数据保持能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。芯片封装形式为小型化的WSON8（Wafer-Level Small Outline No-lead）封装，适合对空间有严格要求的设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并带有‘(LF)(SN)’标识，表示为无铅且符合特定锡膏焊接工艺要求的产品，适用于自动化表面贴装生产流程。28FLZT-RSM1-TF系列支持标准SPI和快速SPI模式，允许主控制器高效地进行指令传输与数据读写操作，在启动时可实现XIP（eXecute In Place）功能，即直接从闪存中执行代码，从而减少对外部RAM的需求，优化系统整体成本与复杂度。
工作电压：2.7V 至 3.6V
存储容量：128 Mbit (16MB)
接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
时钟频率：最高支持104 MHz
读取带宽：支持单/双/四线输出模式
编程电压：内部电荷泵提供高压编程
擦除时间：典型块擦除时间为 40ms
编程时间：字节编程典型时间为 0.6ms
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：WSON8 (3mm x 3mm)
写保护机制：软件和硬件写保护支持
状态寄存器：支持忙标志、写使能锁存、保护位等
28FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 具备多项先进特性，确保其在复杂应用环境下的稳定性与高效性。首先，该芯片支持多种SPI操作模式，包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI，显著提升了数据吞吐率。在Quad I/O模式下，地址和数据均可通过四条I/O线并行传输，极大缩短了读取延迟，特别适用于需要频繁加载固件或图形资源的场合。其次，该器件内置高级电源管理机制，在待机或空闲状态下自动进入低功耗模式，有效降低系统整体能耗，延长电池供电设备的使用时间。
另一个关键特性是其卓越的耐久性和数据保持能力。每个存储单元可支持多达10万次的编程/擦除周期，数据保存时间可达20年以上，满足工业级和汽车级应用对长期可靠性的严苛要求。芯片还集成了完整的保护机制，包括软件写保护、状态寄存器锁定以及硬件WP#引脚控制，防止因误操作或异常掉电导致的关键数据被篡改或丢失。
此外，该器件支持上电自动初始化和JEDEC标准ID读取功能，便于系统进行设备识别和配置。其命令集兼容主流SPI Flash协议，简化了与现有MCU或SoC平台的集成过程。同时，WSON8封装不仅节省PCB面积，而且具有良好的热性能和电气性能，适合高密度布局设计。整体而言，这些特性使得28FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 成为高性能嵌入式存储解决方案的理想选择。
该芯片广泛应用于多个高可靠性领域。在汽车电子中，用于存储ECU（电子控制单元）中的引导程序、传感器校准数据和车载信息娱乐系统的固件；在工业自动化领域，作为PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程IO模块的非易失性存储介质；在网络通信设备如路由器、交换机中，用于存放启动代码（Bootloader）和操作系统镜像；在消费类电子产品中，常见于智能家电、可穿戴设备和物联网终端，支持安全启动和固件空中升级（FOTA）。此外，由于其小尺寸和低功耗特性，也适用于便携式医疗设备和边缘计算节点等对空间和能效敏感的应用场景。
S25FL128SAGBHI201
MT25QL128ABA1EW9AQ
