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K4H560438J 发布时间 时间:2025/12/25 6:15:48 查看 阅读:18

K4H560438J是一款由三星(Samsung)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,具有较高的存储密度和快速的数据访问速度。它常用于需要大容量内存和高性能的应用场景,例如计算机、服务器、工业控制设备等。K4H560438J是一款4M x 16的DRAM芯片,工作频率为166MHz,支持同步操作,能够提供稳定可靠的数据存储和读写能力。

参数

容量:4M x 16位
  类型:DRAM
  封装类型:TSOP
  工作频率:166MHz
  电压:3.3V
  数据速率:166MHz
  存储温度范围:-55°C至+125°C
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  引脚数:54
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms
  

特性

K4H560438J具有多项显著的技术特性,使其在高性能存储应用中表现出色。首先,该芯片采用同步动态随机存取存储器(SDRAM)技术,能够与系统时钟同步,提高数据传输效率,减少延迟。其次,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在断电或低功耗状态下保持数据完整性,延长数据存储时间。此外,K4H560438J采用TSOP封装技术,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适用于高密度存储设计。芯片的工作温度范围较宽,适用于工业级应用环境。其高速数据访问能力(166MHz)和16位宽的数据接口,使其能够在大量数据处理中保持高效稳定的运行。

应用

K4H560438J广泛应用于需要高性能和大容量存储的电子设备中。例如,在工业控制设备中,它可以作为主存储器使用,支持复杂的数据处理任务;在通信设备中,该芯片可以提供高速缓存支持,提高数据传输效率;在嵌入式系统和视频处理设备中,K4H560438J可用于缓存图像数据,提升图像处理速度和响应能力。此外,该芯片也可用于高性能计算设备和服务器中,作为扩展内存模块使用,满足大数据量存储和快速访问的需求。

替代型号

K4H561638J, K4H560438K, HY57V641620B

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