时间：2025/7/19 6:22:40
阅读：2
10AT115N4F40E3SGE2是一款由Alliance Memory Inc.制造的16MB的DRAM芯片。这款DRAM芯片具有高速的访问时间，适用于需要大量数据存储和快速数据访问的场景。它的封装形式为TSOP，适用于表面贴装技术。
容量：16MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C至85°C
10AT115N4F40E3SGE2具有高速的访问时间，仅为5.4ns，这意味着它可以快速地读取和写入数据。这使得它非常适合用于需要高速数据处理的应用。此外，它的工作温度范围为-40°C至85°C，这意味着它可以在各种环境条件下正常工作。该芯片的封装形式为TSOP，这种封装形式具有良好的热性能和电性能，并且适用于表面贴装技术，便于在电路板上安装和焊接。
10AT115N4F40E3SGE2常用于需要大量数据存储和快速数据访问的设备，如计算机、服务器、网络设备和工业控制系统等。由于其高速的访问时间和宽的工作温度范围，它也可以在恶劣的环境条件下使用，例如工业自动化设备和汽车电子设备。
IS42S16100E5B3-6BLI
