容量：4M x 16位
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　访问时间：5.4ns

K4H560438E-GCCCT 芯片具有多种优异特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了先进的CMOS技术，确保了低功耗和高稳定性。此外，其高速访问时间和宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源环境，并能在不同工作条件下保持稳定性能。
　　这款DRAM芯片支持异步操作，允许在没有系统时钟同步的情况下进行数据读写，从而简化了系统设计并提高了灵活性。TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了散热性能和机械稳定性，适用于高密度和高性能的电子设备。
　　K4H560438E-GCCCT 还具有良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适合工业级和车载应用。此外，其并行接口设计提供了高速数据传输能力，能够满足需要快速数据存取的系统需求。
　　为了确保数据完整性，该芯片还采用了先进的刷新机制和错误检测技术，从而提高了系统的可靠性和数据存储的安全性。

K4H560438E-GCCCT 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的电子系统中。例如，它广泛用于嵌入式系统中的主存储器，为微控制器或数字信号处理器（DSP）提供快速的数据存取支持。在工业自动化设备中，该芯片可用于缓存数据或临时存储程序代码，确保系统在高负载下仍能稳定运行。
　　此外，K4H560438E-GCCCT 也常用于通信设备，如路由器、交换机和基站模块，作为临时存储器用于缓冲数据包和处理网络流量。其高速访问能力和宽温度范围使其非常适合用于汽车电子系统，如车载导航、信息娱乐系统和车载诊断设备。
　　该芯片还适用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒和高端打印机，提供可靠的数据存储支持。在测试与测量设备中，例如示波器和频谱分析仪，K4H560438E-GCCCT 可用于高速数据缓冲，确保设备在处理大量数据时保持高效运行。

IS42S16400J-6T、CY7C1041CV33-10ZS、A2VDD16042A1TG、K4H561638E-GCCT