CGA4C2NP01H562J060AA 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片,属于 SiHF 系列。该器件采用 N 沟道增强型技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效降低寄生电感,提高整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:75A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:49nC
输入电容:2100pF
开关频率范围:100kHz-1MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性,支持高频操作,减少磁性元件体积。
4. 增强型热性能设计,确保在高温环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 内置 ESD 保护电路,提高可靠性。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF540N, FDP55N06L, AOT290L