型号：K4H511638D-ZCCC
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR2 SDRAM
　　容量：1Gbit (64M x 16)
　　电压：1.8V ±0.1V
　　封装：84-ball FBGA
　　工作温度：0°C ~ +70°C
　　数据速率：最高533Mbps（对应266MHz时钟）
　　时序参数：CL=3,4,5 可选
　　接口类型：SSTL_18
　　刷新模式：自动/自刷新
　　时钟频率：最大266MHz
　　组织结构：64M Word x 16bit

K4H511638D-ZCCC 具备典型的 DDR2 SDRAM 架构特性，支持双倍数据速率技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效提升数据带宽。其内部存储阵列为 64M words × 16 bits，通过 8 个内部 Bank 实现高效调度，支持交错式突发访问模式，提高连续读写效率。该芯片支持可编程的突发长度（Burst Length），包括 4 和 8 模式，并可通过 MODE 寄存器设置突发类型（顺序或交错）。CAS（列地址选通）延迟可在 3、4、5 之间配置，允许系统根据时钟频率和稳定性要求灵活调整性能与响应时间的平衡。器件支持自动预充电功能，在读写操作结束后可自动执行行关闭，简化控制器设计。
　　为了优化功耗管理，K4H511638D-ZCCC 提供多种低功耗模式，包括待机模式、预充电功率下降模式以及自刷新模式。在自刷新模式下，芯片可自主维持数据完整性而无需外部时钟输入，显著降低系统待机功耗，特别适用于便携式设备或间歇性工作的工业模块。此外，该芯片支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能，允许用户仅对特定存储区域进行刷新，进一步减少能耗。
　　电气方面，K4H511638D-ZCCC 采用 SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）接口标准，确保高速信号传输的完整性与抗干扰能力。所有输入输出引脚均具备适当的驱动强度和匹配阻抗设计，兼容主流 DDR2 控制器。芯片内置延迟锁定环（DLL）电路，用于同步内部时序与外部时钟，保证数据输出的稳定性和建立/保持时间满足要求。封装上采用 84-ball FBGA，尺寸紧凑，热阻较低，有利于多层 PCB 布局中的散热和布线密度优化。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，使其成为当时中端嵌入式系统中广泛应用的内存解决方案之一。

K4H511638D-ZCCC 主要应用于各类需要中等容量高速内存支持的电子系统中。典型使用场景包括网络通信设备如路由器、交换机和接入点，其中其高带宽特性有助于处理大量并发数据包；在工业自动化控制系统中，该芯片为PLC、HMI终端和远程I/O模块提供可靠的数据缓存能力；在消费类电子产品方面，曾用于数字电视、机顶盒、多媒体播放器等设备中作为主存或图形缓冲存储器。
　　此外，K4H511638D-ZCCC 也被集成于某些嵌入式处理器开发板或模块化计算平台中，配合如 Freescale Power Architecture 或 TI DaVinci 系列 SoC 使用，构建完整的嵌入式计算子系统。由于其工作电压为 1.8V，相较于早期的 DDR 和后续的 DDR3，在电源架构设计上具有一定的过渡优势，适合那些既追求性能又需控制功耗的应用场合。
　　尽管目前新一代系统更多转向 DDR3、DDR4 或 LPDDR 系列，但 K4H511638D-ZCCC 仍在设备维修、备件替换、老旧系统延寿项目中发挥重要作用。特别是在军工、轨道交通、医疗设备等长生命周期产品中，该型号因其长期供货记录和稳定性验证而被保留使用。同时，部分 FPGA 开发平台也采用此类标准 DDR2 芯片作为外扩存储资源，便于实现图像处理、协议解析等大数据量任务。因此，即使面对新技术迭代，K4H511638D-ZCCC 依然在特定领域保持着不可替代的技术地位。