类型：DDR3 SDRAM
　　容量：8Gb (512M × 16)
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　速度等级：667MHz (PC3-10600)，tCK = 1.5ns
　　数据速率：1333 Mbps（双倍数据速率）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　工作温度：0°C 至 +85°C（商业级）
　　封装类型：84-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　组织结构：512M x 16
　　引脚数量：84
　　接口类型：并行同步接口
　　输入/输出逻辑：SSTL_15

K4H511638C-UPB3 具备多项关键技术特性，使其成为中高端嵌入式系统和通信设备中的理想选择。首先，该芯片基于8Gb密度的DDR3技术，采用先进的制造工艺，在保证高存储密度的同时实现了较低的功耗。其核心电压为1.5V，相较于前代DDR2产品显著降低了能耗，有助于提升整体系统的能效比，尤其适用于对散热和电源管理有较高要求的应用场景。
　　其次，该器件支持双倍数据速率（DDR）架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现高达1333Mbps的数据传输速率。这种高速特性使得K4H511638C-UPB3能够满足图像处理、视频流传输和实时数据采集等带宽密集型任务的需求。此外，它还具备可编程的CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）以及行预充电时间（tRP）等时序参数，允许系统设计师根据实际性能需求进行优化配置。
　　再者，该芯片内置温度传感器和动态ODT（On-Die Termination）功能，可根据运行状态自动调整终端电阻值，有效减少信号反射和噪声干扰，提升信号完整性和系统稳定性。特别是在高频操作下，这一特性对于维持可靠的数据传输至关重要。同时，支持自动刷新和自刷新模式，可在待机状态下大幅降低功耗，延长电池供电设备的续航时间。
　　最后，K4H511638C-UPB3 采用84-ball FBGA封装，具有较小的封装尺寸和优良的散热性能，适合高密度PCB布局。其引脚定义兼容行业标准，便于与其他控制器或SoC配合使用。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，适用于长时间连续运行的工业环境。

K4H511638C-UPB3 主要应用于需要稳定、高效内存支持的各种电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于高清电视、机顶盒、智能家庭网关等设备中，作为主控芯片的外部扩展内存，支撑操作系统运行和多媒体数据缓存。
　　在网络通信设备方面，该芯片被广泛集成于路由器、交换机、网络附加存储（NAS）设备中，用于数据包缓冲、路由表存储和会话管理，确保网络传输的低延迟和高吞吐量。其稳定的读写性能和较长的生命周期支持，使其成为电信级设备的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，K4H511638C-UPB3 可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、工业计算机等装置，提供实时数据存储与快速访问能力，保障控制指令的及时响应。此外，在医疗成像设备、安防监控摄像头和POS终端等嵌入式系统中，该芯片也发挥着重要作用，支持图像帧缓存、日志记录和应用程序运行。
　　由于其工作温度范围覆盖商业级标准（0°C ~ +85°C），虽然不适用于极端恶劣环境，但在大多数室内工业和商业环境中表现出色。加之三星长期供货和技术支持，使得该型号在全球范围内拥有较高的市场覆盖率和替换便利性。

K4B511638D-HCH9
　　MT41J512M16HA-125:A
　　IS43TR16512B-125BLI