时间：2025/8/6 4:21:18
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IXTC102N25T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路和电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：250V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：102A
导通电阻(Rds(on))：最大 22mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散(Pd)：420W
IXTC102N25T 的核心特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（250V）使其能够在高压环境中稳定运行，并提供良好的电气隔离性能。此外，IXTC102N25T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
这款 MOSFET 还具有出色的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其 TO-247AC 封装形式不仅便于安装和散热管理，还增强了器件的机械强度，适用于工业级应用环境。此外，该器件的栅极驱动特性优化，能够与常见的驱动电路兼容，简化了电路设计和实现。
IXTC102N25T 主要用于高功率和高效率的电源管理系统中，例如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机控制和驱动器、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。此外，该器件也适用于需要高电流和高耐压特性的电子负载测试设备和功率放大器设计。由于其出色的热性能和高可靠性，IXTC102N25T 在工业自动化、新能源和汽车电子领域也有广泛应用。
IXTP102N25T, IXFN102N25T, FDP102N25T
