型号：K4H280838C-TCB0
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：8Gbit (1GB)
　　组织结构：1Gb x8
　　工作电压：1.425V ~ 1.575V（VDD/VDDQ）
　　I/O电压：1.425V ~ 1.575V
　　时钟频率：最高800MHz（等效1600Mbps数据速率）
　　访问时间：约10ns（CL=11时）
　　封装类型：FBGA, 78-ball
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.9mm
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-55°C 至 +100°C
　　最大功耗：典型值约为1.5W（取决于使用条件）
　　引脚数量：78
　　数据宽度：8位
　　Banks数量：8
　　刷新周期：64ms/8192行
　　支持功能：自动刷新、自刷新、突发长度可编程、CAS延迟可配置

K4H280838C-TCB0 具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR3内存芯片中表现出色。首先，该芯片采用了双倍数据速率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提升了数据传输效率。其核心频率可达400MHz，配合800MHz的有效I/O时钟频率，能够实现最高1600MT/s的数据传输速率，满足大多数中高端嵌入式系统的带宽需求。其次，该器件支持可编程的CAS（Column Address Strobe）延迟、突发长度（Burst Length）和写入脉冲宽度，允许系统设计者根据实际应用场景灵活调整性能与稳定性之间的平衡。
　　该芯片内置8个独立的bank，每个bank可以单独进行读写或刷新操作，这种多bank并行机制有效提高了内存访问的并发性，减少了等待时间，尤其在处理连续数据流或多任务调度时优势明显。同时，K4H280838C-TCB0 支持多种节能模式，包括自动刷新模式（Auto Refresh）、自刷新模式（Self Refresh）和掉电模式（Power-down Mode）。在系统空闲期间，控制器可将芯片置入低功耗状态，大幅降低静态电流消耗，这对电池供电或对热管理要求较高的设备尤为重要。
　　在可靠性方面，该芯片具备出色的抗干扰能力和信号完整性设计，采用差分时钟输入（CK/CK#）来增强时序精度，并通过片内终端电阻（On-Die Termination, ODT）技术减少信号反射和串扰，确保高速信号传输的稳定性。此外，它还支持ZQ校准功能，可在长时间运行后自动调整输出驱动阻抗，维持最佳匹配状态。所有这些特性共同保证了K4H280838C-TCB0 在复杂电磁环境和宽温条件下依然保持稳定可靠的运行。

K4H280838C-TCB0 广泛应用于多种需要高性能、低功耗且具备一定环境适应性的电子系统中。其主要应用领域包括网络通信设备，如家用和企业级路由器、交换机、防火墙等，这些设备通常需要快速处理大量数据包，对内存带宽和响应速度有较高要求。该芯片也被广泛用于数字视频监控系统（DVR/NVR）中，作为图像缓存和视频编码处理的临时存储单元，支持多路高清视频流的同时录制与回放。
　　在消费类电子产品方面，K4H280838C-TCB0 常见于智能电视、机顶盒、多媒体播放器等设备中，用于操作系统运行、应用程序加载和媒体解码过程中的数据缓冲。由于其具备工业级温度范围，因此也适用于工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、工业计算机等，在高温或低温环境下仍能保持稳定工作。
　　此外，该芯片还可用于打印机、复印机等办公设备中，作为页面渲染和图像处理的数据暂存区；也可集成于某些车载信息娱乐系统中，支持导航、音频播放和蓝牙通信等功能的流畅运行。得益于其成熟的设计和稳定的供货历史，K4H280838C-TCB0 成为许多中端嵌入式平台的理想选择。尽管随着技术发展，DDR4和LPDDR4逐渐成为主流，但在成本敏感且不需要极致性能的应用场景中，这款DDR3芯片仍然具有较强的竞争力和较长的生命周期支持。

K4B2G1646E-BCWE
　　MTC4GACPHC-1G9P1