K4F8E3S4HD-MGCJ 是由三星(Samsung)生产的一款 DDR5 SDRAM 内存颗粒。这款芯片主要用于服务器、台式机和笔记本电脑等设备的内存模块中,提供高速数据传输和大容量存储能力。DDR5 技术相比前代 DDR4 提供更高的频率、更低的功耗以及更大的带宽。
该芯片采用先进的制程工艺制造,支持 ECC(纠错码)功能以提高数据可靠性,并兼容最新的 Intel 和 AMD 平台。
类型:DDR5 SDRAM
容量:8 Gb (1 GB)
组织结构:512M x 16
核心电压(VDD):1.1V
I/O 电压(VDDQ):1.1V
速度:6400 Mbps
封装形式:BGA 96-ball
工作温度:-40°C 到 +125°C
引脚间距:1.0 mm
数据宽度:16 bit
K4F8E3S4HD-MGCJ 支持 DDR5 的最新技术特性,包括 On-Die ECC(片上纠错)、DBI(数据总线反向)和 CRC(循环冗余校验),从而显著提高了数据完整性和系统稳定性。
它采用了更小的 BGA 封装设计,能够有效节省 PCB 空间,同时具备更高的数据传输速率和更低的工作电压,进一步降低了功耗。
此外,该芯片还支持 CA 培训和写入/读取均衡等功能,确保在高频率下的稳定运行。其出色的性能和可靠性使其成为高端计算和企业级应用的理想选择。
K4F8E3S4HD-MGCJ 芯片广泛应用于以下领域:
1. 台式机和笔记本电脑的内存条
2. 高性能服务器和工作站
3. 数据中心和云计算设备
4. 游戏硬件和其他需要高带宽内存的消费类电子产品
5. 工业控制和嵌入式系统中的高性能存储需求
由于其高频率和支持 ECC 功能,特别适合需要高可靠性和大数据吞吐的应用场景。
K4F8E3S4HB-MGCJ
K4F8E3S4HC-MGCJ
K4F8E3S4HD-MGC0