STF2N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有出色的开关特性和较低的导通电阻,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款MOSFET在设计上注重效率和可靠性,能够承受高电压并提供大电流输出,广泛应用于开关电源、逆变器、直流电机控制等领域。
STF2N80K5 的关键特性在于其优化的栅极电荷和较低的Rds(on),使得其在高频开关条件下仍然能保持较高的效率。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:2A
导通电阻:4.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极阈值电压:4V(典型值)
功耗:7W(在Tc=25°C时)
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
STF2N80K5 的主要特性包括:
1. 高耐压能力:能够承受高达800V的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:典型值为4.3Ω(在Vgs=10V时),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度:优化的栅极电荷使其适合高频开关应用。
4. 可靠性高:经过严格测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。
5. 小型化设计:TO-220封装既保证了散热性能,又便于安装和使用。
6. 工作温度范围宽:能够在-55℃至+150℃的环境下正常工作,适应各种气候条件。
STF2N80K5 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管。
2. 逆变器:用于将直流电转换为交流电的场景。
3. 电机驱动:驱动直流电机或步进电机。
4. 电磁阀控制:用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路。
5. LED驱动器:为高功率LED灯提供高效驱动解决方案。
6. 其他功率转换应用:如电池充电器、DC-DC转换器等。
STF2N80F5, STF2N80E5