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STF2N80K5 发布时间 时间:2025/5/13 17:00:11 查看 阅读:14

STF2N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有出色的开关特性和较低的导通电阻,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款MOSFET在设计上注重效率和可靠性,能够承受高电压并提供大电流输出,广泛应用于开关电源、逆变器、直流电机控制等领域。
  STF2N80K5 的关键特性在于其优化的栅极电荷和较低的Rds(on),使得其在高频开关条件下仍然能保持较高的效率。

参数

最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:4.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压:4V(典型值)
  功耗:7W(在Tc=25°C时)
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

STF2N80K5 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:能够承受高达800V的漏源电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型值为4.3Ω(在Vgs=10V时),有助于降低传导损耗。
  3. 快速开关速度:优化的栅极电荷使其适合高频开关应用。
  4. 可靠性高:经过严格测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  5. 小型化设计:TO-220封装既保证了散热性能,又便于安装和使用。
  6. 工作温度范围宽:能够在-55℃至+150℃的环境下正常工作,适应各种气候条件。

应用

STF2N80K5 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管。
  2. 逆变器:用于将直流电转换为交流电的场景。
  3. 电机驱动:驱动直流电机或步进电机。
  4. 电磁阀控制:用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路。
  5. LED驱动器:为高功率LED灯提供高效驱动解决方案。
  6. 其他功率转换应用:如电池充电器、DC-DC转换器等。

替代型号

STF2N80F5, STF2N80E5

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STF2N80K5参数

  • 现有数量2,000现货
  • 价格1 : ¥11.69000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)95 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包