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K4F6E3S4HM-MGCJ 发布时间 时间:2025/4/28 17:58:31 查看 阅读:2

K4F6E3S4HM-MGCJ 是三星(Samsung)生产的一款高性能 DDR4 SDRAM 内存颗粒,广泛应用于台式机、笔记本电脑以及服务器等设备中。该芯片支持高速数据传输和低功耗操作,符合 JEDEC 标准规范,能够满足现代计算平台对内存性能和效率的严格要求。
  该型号的 DDR4 芯片具有高密度存储能力,适用于多任务处理和大数据应用环境,确保系统在运行复杂程序时保持稳定性和响应速度。

参数

容量:8Gb
  电压:1.2V
  频率:3200MT/s
  I/O 宽度:8位
  封装类型:BGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  引脚数:78-ball
  数据宽度:x8

特性

K4F6E3S4HM-MGCJ 属于 DDR4 系列内存芯片,具备以下显著特点:
  1. 高速数据传输:支持高达 3200MT/s 的传输速率,有效提升系统的整体性能。
  2. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,在保证性能的同时降低能耗,适合长时间运行的设备。
  3. 稳定性强:具备先进的 ECC(纠错码)功能,可检测并修复单比特错误,从而提高数据完整性。
  4. 小型化封装:使用 BGA 封装技术,体积小巧,便于集成到各种主板设计中。
  5. 广泛兼容:遵循 JEDEC DDR4 标准,兼容多种主流平台和操作系统。
  6. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在不同工作条件下都能提供稳定的性能表现。

应用

K4F6E3S4HM-MGCJ 主要用于需要大容量、高速度和低功耗内存的场景,具体包括:
  1. 台式机和笔记本电脑的内存条制造。
  2. 数据中心和服务器领域的内存扩展。
  3. 工业控制和嵌入式系统中的高性能存储需求。
  4. 游戏设备及图形工作站等对内存带宽要求较高的领域。
  5. 物联网(IoT)设备和其他智能硬件中的数据缓存功能实现。

替代型号

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