K4F6E3S4HM-MGCJ 是三星(Samsung)生产的一款高性能 DDR4 SDRAM 内存颗粒,广泛应用于台式机、笔记本电脑以及服务器等设备中。该芯片支持高速数据传输和低功耗操作,符合 JEDEC 标准规范,能够满足现代计算平台对内存性能和效率的严格要求。
该型号的 DDR4 芯片具有高密度存储能力,适用于多任务处理和大数据应用环境,确保系统在运行复杂程序时保持稳定性和响应速度。
容量:8Gb
电压:1.2V
频率:3200MT/s
I/O 宽度:8位
封装类型:BGA
工作温度:-40°C 至 +85°C
引脚数:78-ball
数据宽度:x8
K4F6E3S4HM-MGCJ 属于 DDR4 系列内存芯片,具备以下显著特点:
1. 高速数据传输:支持高达 3200MT/s 的传输速率,有效提升系统的整体性能。
2. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,在保证性能的同时降低能耗,适合长时间运行的设备。
3. 稳定性强:具备先进的 ECC(纠错码)功能,可检测并修复单比特错误,从而提高数据完整性。
4. 小型化封装:使用 BGA 封装技术,体积小巧,便于集成到各种主板设计中。
5. 广泛兼容:遵循 JEDEC DDR4 标准,兼容多种主流平台和操作系统。
6. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在不同工作条件下都能提供稳定的性能表现。
K4F6E3S4HM-MGCJ 主要用于需要大容量、高速度和低功耗内存的场景,具体包括:
1. 台式机和笔记本电脑的内存条制造。
2. 数据中心和服务器领域的内存扩展。
3. 工业控制和嵌入式系统中的高性能存储需求。
4. 游戏设备及图形工作站等对内存带宽要求较高的领域。
5. 物联网(IoT)设备和其他智能硬件中的数据缓存功能实现。
K4F6E3S4HB-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGC
K4F6E3S4HB-MGC