时间：2025/5/9 17:59:57
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K4F6E304HB-MGCJ 是一款由三星（Samsung）生产的 DDR4 内存颗粒芯片。该芯片主要用于计算机、服务器和其他需要高性能数据处理的电子设备中，提供高速的数据传输能力和大容量的存储支持。
DDR4（Double Data Rate 4）是第四代双倍数据速率同步动态随机存取内存技术，与前几代相比具有更高的性能、更低的功耗和更可靠的稳定性。K4F6E304HB-MGCJ 在制造工艺上采用了先进的纳米级制程，以确保芯片在高频运行时仍能保持较低的功耗。
类型：DRAM
接口：DDR4
容量：8Gb (1Gb=128MB)
位宽：x8
工作电压：1.2V
数据速率：3200Mbps
封装形式：BGA
引脚数：78-ball
温度范围：-40°C to +95°C
刷新模式：Auto/self refresh
K4F6E304HB-MGCJ 提供了高带宽和低延迟的数据传输能力，其主要特性包括：
1. 支持高达 3200 Mbps 的数据传输速率，能够满足高性能计算和图形处理的需求。
2. 工作电压为 1.2V，比之前的 DDR3 标准降低了功耗，提高了能效。
3. 内置 ECC（Error Correction Code）功能，可检测并纠正单比特错误，从而提高数据的完整性。
4. 具有自动刷新和自刷新功能，可在待机状态下维持数据的完整性，同时减少功耗。
5. BGA 封装形式使其适合用于空间受限的紧凑型设计。
6. 支持多种省电模式，例如深度电源下降（DPD）模式，进一步优化了功耗表现。
K4F6E304HB-MGCJ 广泛应用于需要高容量、高速度内存的场景，具体应用领域包括：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存条。
2. 企业级服务器和数据中心的内存模块。
3. 高性能计算系统中的内存扩展。
4. 图形工作站和游戏设备中的显存组件。
5. 网络设备如路由器和交换机的缓存系统。
6. 嵌入式系统中需要高性能内存的部分，例如工业控制或医疗成像设备。
K4F6E304HB-MGC0, K4F6E304HB-MGCQ
