制造商：Samsung
　　产品系列：LPDDR4
　　存储容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：8 banks x 64M words x 8 I/Os
　　电源电压：VDD / VDDQ = 1.1V / 1.1V（标称值）
　　I/O电压：1.1V
　　最大时钟频率：1600MHz（数据速率3200Mbps）
　　封装类型：FBGA，134-ball
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　数据宽度：x8
　　引脚数量：134
　　接口类型：LPDDR4 SDRAM
　　时序参数：CL（CAS Latency）典型值为17或18（取决于速度等级）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　封装尺寸：约9mm x 11.5mm x 0.8mm

K4F4E6S4HF-BGCH 具备多项先进特性，使其成为现代移动计算和通信设备中的理想选择。
　　首先，该芯片基于LPDDR4标准设计，支持高达3200 Mbps的数据传输速率，通过双通道架构（每通道32位，共64位虚拟通道）显著提升系统带宽，同时降低功耗。其核心和I/O电压均为1.1V，相较于前代LPDDR3的1.2V进一步降低，有效减少动态功耗和热耗散，适合对能效要求极高的应用场景。
　　其次，该器件采用8 bank架构，支持交错式页面访问和高效的命令调度机制，提升了内存访问效率。内置的动态电压和频率切换（DVFS）支持允许系统根据负载情况实时调整性能状态，从而在高性能与低功耗之间实现最佳平衡。
　　再者，K4F4E6S4HF-BGCH 集成了多种省电模式，包括部分阵列自刷新（PASR）、深度功率下降模式（DPD）和温度补偿自刷新（TCSR）。TCSR功能可根据芯片内部温度自动调节刷新周期，在高温下加快刷新以防止数据丢失，在低温下减缓刷新以节省电力，显著提高电池续航能力。
　　此外，该芯片支持ZQ校准功能，能够对外部电阻进行精确阻抗匹配，确保信号完整性和稳定的数据传输质量，尤其是在高频运行条件下表现优异。其FBGA封装具有良好的电气性能和散热特性，适用于高密度PCB布局，并支持回流焊工艺，便于大规模自动化生产。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅且兼容绿色制造流程，满足全球市场对环境友好型电子产品的法规要求。综合来看，K4F4E6S4HF-BGCH 在性能、功耗、可靠性和集成度方面均表现出色，是高端移动平台的理想内存解决方案。

K4F4E6S4HF-BGCH 主要应用于对性能和功耗有严苛要求的便携式电子设备。
　　在智能手机和平板电脑中，该芯片作为主内存组件，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行以及人工智能运算等高负载操作，提供流畅的用户体验。其高速数据吞吐能力和低延迟响应特性使得操作系统和应用程序的加载速度大幅提升。
　　在超极本（Ultrabook）和二合一设备中，该LPDDR4内存有助于实现轻薄化设计的同时保持强劲性能，配合低功耗处理器构建高效能移动计算平台。
　　此外，该芯片也广泛用于嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业手持终端和物联网网关等需要长期稳定运行且依赖电池供电的场景。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。
　　在AIoT边缘计算设备中，K4F4E6S4HF-BGCH 可为本地数据缓存和实时推理提供必要的内存支持，尤其适用于搭载NPU或DSP协处理器的智能摄像头、语音助手模块和人脸识别终端。
　　由于其标准化接口和广泛的生态系统支持，该芯片还可用于开发参考设计、评估板和教学实验平台，方便工程师进行系统验证与调试。总体而言，K4F4E6S4HF-BGCH 凭借其高性能、低功耗和高可靠性，已成为现代智能移动设备中不可或缺的核心元器件之一。

K4F4E3S4HM-BGCH
　　K4F4E6S4HC-BGCL
　　MT53E256M8AGB-378 AAT
　　EM5AB16AB5NKI-37