时间：2025/4/28 16:14:25
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FGA15N120ANTDTU-F109是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要适用于高电压、高频率开关应用，例如开关电源、逆变器和电机驱动等领域。其额定电压为1200V，连续漏极电流为15A，采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点。
该MOSFET基于先进的超结技术设计，能够显著降低开关损耗并提高系统效率。此外，它还具备快速恢复二极管特性，进一步优化了高频性能。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω（典型值，25°C）
栅极电荷：36nC（典型值）
输入电容：2000pF
总功耗：250W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
这款MOSFET采用了先进的超结结构，能够提供较低的导通电阻和更高的电流密度，从而实现更高效的功率转换。
其快速恢复体二极管特性减少了反向恢复时间，从而降低了开关损耗。
由于其出色的热性能和电气性能，该器件非常适合在高电压和高频率环境下运行。
另外，FGA15N120ANTDTU-F109还具有较高的雪崩耐量能力，确保在异常条件下也能稳定工作。
FGA15N120ANTDTU-F109广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电机驱动器
5. 电磁炉和感应加热设备
6. 高压LED驱动器
7. 不间断电源（UPS）系统
凭借其高电压承受能力和高效开关性能，该器件在上述应用中表现出色，可有效提升系统的整体效率。
FGA20N120ANTD, IRFP460, STW81N12
