型号：K4F15162D-TL60
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR SDRAM
　　容量：128M x 16 / 256Mb
　　组织结构：4 Banks × 128Mbit
　　数据宽度：16位
　　工作电压：2.5V ± 0.2V
　　最大访问时间：60ns
　　时钟频率：最高133MHz（等效266MT/s）
　　封装类型：TSOP-II 54-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　突发长度：支持BL=2, 4, 8
　　预充电支持：支持单个及全部Bank预充电
　　数据选通方式：源同步双向DQS
　　输入/输出逻辑：SSTL_2兼容

K4F15162D-TL60具备多项关键特性，使其成为当时主流嵌入式系统和PC内存模块中的理想选择。首先，它采用了双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提升了数据传输带宽。这使得其在133MHz系统时钟下能够实现266MT/s的有效传输速率，满足了当时对高性能内存的需求。其次，该芯片支持多种突发传输模式，包括突发长度为2、4或8的连续读写操作，用户可通过模式寄存器进行灵活配置，以优化系统性能并减少地址切换开销。
　　此外，K4F15162D-TL60集成了自动刷新和自刷新功能，有效保障了存储单元中电容数据的完整性。自动刷新由外部控制器定期触发，而自刷新则允许芯片在系统低功耗状态下自行管理刷新周期，大幅降低待机功耗，特别适用于需要节能设计的便携式或远程设备。该器件还支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh）特性，允许在保持核心数据的同时关闭非必要区域，进一步提升能效。
　　从接口设计上看，其采用SSTL_2（Stub Series Terminated Logic）输入输出标准，具备良好的信号完整性和抗噪声能力，适合在高密度布线环境中稳定运行。DQS（Data Strobe）信号为源同步设计，便于接收端准确锁存数据，提高了数据采样的可靠性。同时，该芯片支持写入掩码功能（通过LDQM/UDQM信号控制），允许在写操作中选择性地屏蔽高位或低位数据字节，增强了数据处理的灵活性。
　　在可靠性方面，K4F15162D-TL60经过严格的制造工艺控制，具备出色的耐用性和长期稳定性。其TSOP-II封装结构紧凑，引脚排列标准化，易于焊接与返修，适合大规模自动化生产。整体设计兼顾性能、功耗与成本，是DDR时代广泛应用的经典存储解决方案之一。

K4F15162D-TL60主要应用于各类需要中等容量、低成本且稳定可靠的内存系统的电子设备中。其典型应用场景包括早期的台式机与笔记本电脑内存条（如SO-DIMM模块），尤其是在DDR1时代的主流主板平台上被广泛采用。由于其具备良好的兼容性和稳定性，也常见于工控主板、POS终端、医疗仪器显示模块以及网络路由器、交换机等通信基础设施中。
　　在嵌入式系统领域，该芯片常用于基于ARM7、ARM9或PowerPC架构的处理器平台，为操作系统运行提供必要的RAM空间。例如，在数字视频录像机（DVR）、IP摄像头、工业HMI人机界面设备中，K4F15162D-TL60可支持图形缓存、视频帧缓冲及程序运行内存等多种用途。此外，一些老款的游戏机主板、多媒体播放器和智能家电控制板也曾使用此类DDR颗粒来满足实时多任务处理需求。
　　由于其工作电压为2.5V，相较于后续的DDR2/DDR3更低功耗方案略显不足，因此目前主要用于维护现有设备、替代损坏元件或在不追求极致能效的工业备件市场中流通。尽管已逐步被新型号取代，但在设备维修、备件替换和老旧系统延寿项目中仍具有重要价值。

K4F15162QC-JC60
　　MT46V16M16TG-6T
　　IS42S16100D-6TL