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GQM1555C2DR20BB01D 发布时间 时间:2025/7/4 19:21:07 查看 阅读:11

GQM1555C2DR20BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理场景。其封装形式紧凑,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。

参数

型号:GQM1555C2DR20BB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅极驱动电压:±20V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:1.2mΩ(典型值)
  总栅极电荷:65nC
  开关时间:ton=22ns,toff=18ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GQM1555C2DR20BB01D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,可支持高频操作,适合开关电源、DC-DC 转换器等应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 紧凑型封装设计,便于集成到各种电路中。
  5. 宽广的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

这款功率 MOSFET 适用于广泛的电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 工业逆变器和 UPS 系统。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统。
  5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的设备。

替代型号

GQM1555C2DR20AA01D, IRF540N, FDP5500

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GQM1555C2DR20BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.85562卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-