GQM1555C2DR20BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理场景。其封装形式紧凑,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
型号:GQM1555C2DR20BB01D
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅极驱动电压:±20V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.2mΩ(典型值)
总栅极电荷:65nC
开关时间:ton=22ns,toff=18ns
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247-3
GQM1555C2DR20BB01D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,可支持高频操作,适合开关电源、DC-DC 转换器等应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑型封装设计,便于集成到各种电路中。
5. 宽广的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这款功率 MOSFET 适用于广泛的电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的设备。
GQM1555C2DR20AA01D, IRF540N, FDP5500