时间：2025/11/12 19:09:08
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K4D263238K-GC50是一款由三星（Samsung）公司生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于DDR2 SDRAM系列。该器件专为需要高带宽和低功耗的系统应用而设计，广泛应用于网络设备、工业控制、嵌入式系统以及消费类电子产品中。这款芯片采用先进的制造工艺，具备较高的集成度和稳定性，在温度适应性、数据传输速率和功耗管理方面表现出色。K4D263238K-GC50的命名遵循三星标准编码规则，其中‘K4’代表DRAM产品线，‘D2’表示DDR2技术，‘63’对应容量与组织结构，‘238’指代特定的内部架构版本，‘K’可能标识封装类型或功能变体，‘GC50’则表明其速度等级为PC2-5300，即核心时钟频率为266MHz，等效数据传输速率为533Mbps。该芯片通常采用BGA（Ball Grid Array）小型化封装，适合高密度PCB布局，并支持自动刷新和温度补偿自刷新（TSR）等功能以优化能效表现。作为一款工业级或商业级存储解决方案，K4D263238K-GC50在多负载环境下仍能保持可靠的数据读写性能，是许多中高端电子系统中的关键组件之一。
型号：K4D263238K-GC50
制造商：Samsung
产品类型：DDR2 SDRAM
存储容量：512Mbit（32M x 16位）
工作电压：1.8V ±0.1V
最大访问时间：5ns
时钟频率：266MHz（核心），533MHz（数据速率，DDR）
数据速率：533 Mbps（PC2-5300）
接口类型：并行
引脚数：90-pin
封装类型：FBGA
工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs（典型值）
封装尺寸：约8mm x 13mm x 1.0mm
内存组织：4 Banks x 32Mbit
K4D263238K-GC50具备多项先进技术特性，使其在众多DDR2内存芯片中脱颖而出。首先，该芯片采用了双倍数据速率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而有效提升数据吞吐能力至533Mbps，满足对高带宽需求的应用场景。其次，其内部采用四Bank架构设计，每Bank为32Mbit容量，总容量达到512Mbit，并以32M x 16位的方式组织，便于实现高效连续读写操作和页面突发访问。这种结构不仅提升了寻址效率，也降低了延迟影响。此外，该器件支持多种低功耗模式，包括待机模式、预充电功率下降模式及温度补偿自刷新（TSR），可根据实际运行状态动态调节功耗，尤其适用于长时间运行且对热管理要求严格的系统环境。
K4D263238K-GC50还集成了精密的时序控制逻辑和片上终端电阻（ODT），可显著减少信号反射和噪声干扰，提高高速信号完整性。它支持标准命令集，如激活、读/写、预充电、自动刷新等，兼容主流内存控制器。同时，该芯片具备良好的温度适应性，可在宽温范围内稳定工作，确保在恶劣工业环境中依然维持可靠性能。其FBGA封装形式具有优异的散热性和电气性能，支持高密度贴装，有利于缩小PCB面积并提升系统集成度。另外，该器件通过了RoHS环保认证，符合无铅焊接工艺要求，适用于现代绿色电子产品制造流程。整体而言，K4D263238K-GC50以其高性能、低功耗和高可靠性，成为多种嵌入式与通信系统的理想选择。
K4D263238K-GC50主要应用于对存储性能有一定要求但又不需要DDR3或更高版本的过渡型或专用系统中。常见用途包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）系统，这些设备需要快速处理大量数据包并进行临时缓存，因此依赖于高速、稳定的DDR2内存来保障运行效率。在工业自动化领域，该芯片被广泛用于PLC控制器、人机界面（HMI）、工控机等设备中，提供可靠的运行内存支持，尤其是在高温、振动等复杂环境下仍能保持数据完整性。
此外，该器件也常见于医疗成像设备、测试测量仪器、视频监控系统和数字标牌等嵌入式平台中，用于图像帧缓冲、程序加载和实时数据处理任务。在消费类电子产品方面，部分高清电视、机顶盒和多媒体播放器也曾采用此型号作为主内存或协处理器缓存。由于其具备较好的成本效益和长期供货能力，K4D263238K-GC50在一些仍在使用DDR2架构的老化系统维护和替代升级项目中仍具重要价值。尽管目前主流市场已转向DDR3/DDR4/DDR5，但在特定行业应用和存量设备维护中，该芯片仍然是不可或缺的关键元器件之一。
K4D263238K-SC40
MTC512L32PZ-5S5E
