型号：K4B8G1646D-MMK0T00
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：8Gb (1GB)
　　组织结构：16M x 16 x 4 banks
　　电压：1.5V / 1.35V (VDD/VDDQ)
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：FBGA, 96-ball
　　数据总线宽度：16位
　　最大时钟频率：800MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps (DDR3-1600)
　　CAS 延迟（CL）：可配置，典型值 CL=11
　　刷新周期：标准自动刷新模式
　　封装尺寸：9mm x 11.5mm x 0.9mm
　　JEDEC 标准兼容性：符合 DDR3 SDRAM 规范

K4B8G1646D-MMK0T00 具备多项先进特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。
　　首先，该芯片支持双电压操作模式，既可在标准1.5V下运行以实现最大性能输出，也可切换至1.35V的低电压模式（LV-DDR3），从而在维持较高带宽的同时显著降低功耗，这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热问题。其次，其内部架构采用8Gb高密度设计，通过16位数据总线与外部控制器连接，在DDR3-1600速率下可提供高达12.8 GB/s的理论峰值带宽，满足图形渲染、视频编解码或多任务并行处理等高负载应用场景的需求。
　　再者，该器件集成了多种智能电源管理功能，包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）以及部分阵列自刷新（PASR）。这些功能可根据系统运行状态动态调整内存功耗，在待机或轻载情况下大幅降低能耗。例如，TCSR 可根据片内温度传感器反馈调节刷新频率，避免高温下因漏电增加导致的数据丢失风险；而 PASR 则允许仅对使用中的存储区域进行刷新，进一步节省电力。
　　此外，K4B8G1646D-MMK0T00 支持可编程的模式寄存器设置，用户可根据实际需求配置CAS延迟（CL）、突发长度（BL）、突发类型（顺序或交错）等关键参数，提升系统兼容性和优化性能表现。其内置的片上终端电阻（ODT）技术可在读写过程中动态启用，改善信号完整性，抑制高频信号反射，提升抗干扰能力，确保在高频率下仍保持稳定可靠的传输质量。
　　最后，该芯片采用紧凑型FBGA-96封装，具有优异的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产，并支持多层PCB布线设计，便于在空间受限的便携式设备中集成。整体而言，该器件在性能、功耗、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，广泛应用于各类高端消费类电子和工业级产品中。

K4B8G1646D-MMK0T00 广泛应用于对内存带宽和能效有较高要求的电子产品中。
　　在移动设备领域，它常用于高端智能手机和平板电脑中，作为主内存配合高性能应用处理器（如Exynos、Snapdragon系列）使用，支持流畅的多任务操作、高清视频播放、大型游戏运行以及AI计算任务。其低电压特性有助于延长设备电池寿命，同时高带宽保障了系统响应速度。
　　在网络通信设备方面，该芯片可用于路由器、交换机、基站模块等产品中，承担数据包缓存、路由表存储及实时信号处理等功能，满足高速数据转发和低延迟处理的需求。
　　在工业控制和嵌入式系统中，如工控机、HMI人机界面、车载信息娱乐系统（IVI）和数字监控设备中，该内存芯片提供了可靠的运行环境，支持长时间稳定工作，并能在较宽温度范围内保持性能一致性。
　　此外，该器件也适用于一些中高端消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、AR/VR头显设备等，用于支撑复杂的操作系统和多媒体应用。由于其符合JEDEC标准，易于与主流SoC平台（如ARM架构处理器）对接，因此在开发过程中具备良好的兼容性和可移植性，缩短产品开发周期。

K4B8G1646F-MMK0
　　K4B8G1646E-BCK0
　　MT41K1G16JT-125:A
　　EM68A160TS-25D