容量：2 Gb（Gigabits）
　　数据宽度：64位
　　接口类型：GDDR6
　　工作电压：1.35V
　　最大时钟频率：14 Gbps（Gigabits per second）
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　封装尺寸：根据具体设计
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　制造工艺：10nm级或更先进制程

H5TQ2G63GFR-H9C 作为一款GDDR6 DRAM芯片，具备多项先进的性能和可靠性特性。其最大数据传输速率为14 Gbps，显著高于前代GDDR5技术，能够为图形处理器（GPU）提供更高的内存带宽，从而提升图形渲染速度和计算效率。该芯片采用差分数据选通（DQS）和数据掩码（DM）机制，确保在高速传输下的数据完整性与稳定性。
　　该芯片的工作电压为1.35V，相比传统的GDDR5（通常为1.5V）降低了功耗，有助于提升能效和减少发热。此外，H5TQ2G63GFR-H9C 还支持先进的电源管理功能，如自动刷新、自刷新模式和低功耗待机模式，进一步优化了功耗表现。
　　封装方面，H5TQ2G63GFR-H9C 采用FBGA（细间距球栅阵列）封装技术，提供更高的封装密度和更好的电气性能，适用于高密度显卡和嵌入式系统设计。FBGA封装还具备良好的散热性能，能够适应高负载运行环境。
　　为了确保在高速运行下的稳定性和可靠性，该芯片支持多种校验和纠错机制，包括地址/命令奇偶校验、写入校验（Write CRC）和读取校验（Read CRC），有助于降低数据传输错误率，提高系统的稳定性。此外，H5TQ2G63GFR-H9C 还支持多段写入（Multi-Preamble）和动态ODT（On-Die Termination）等功能，进一步优化了信号完整性和系统性能。

H5TQ2G63GFR-H9C 主要应用于需要高带宽和高性能图形处理的领域，例如高端独立显卡（如NVIDIA GeForce RTX系列、AMD Radeon RX系列）、游戏主机（如PlayStation 5、Xbox Series X/S）、AI加速卡、数据中心GPU加速器、高性能计算（HPC）设备以及专业图形工作站。该芯片的高速数据传输能力使其特别适合用于实时渲染、深度学习训练、大规模并行计算等需要大量内存带宽的应用场景。此外，它也可用于高端嵌入式系统和工业自动化设备中的图形处理模块。

H5TQ2G63AFR-H9C, H5TQ1G64AFR-H9C, H5TQ2G63GFR-PB