类型：DDR3L SDRAM
　　密度：4Gb (512MB)
　　组织结构：16M x 16 x 8 banks
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　接口类型：并行
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　数据速率：800 Mbps / 1600 Mbps (DDR3-1600)
　　时钟频率：800 MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动/自刷新
　　突发长度：BL8, BC4 with Wrap or Non-wrap
　　CAS延迟：CL11, CL10, CL9 可配置
　　内部Bank数量：8
　　预充电支持：支持独立和自动预充电
　　封装尺寸：约 9mm x 13mm x 0.9mm

K4B4G1646Q-BYK0 具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR3L内存芯片中表现出色。首先，它采用了800MHz的时钟频率，实现1600Mbps的数据传输速率（DDR即双倍数据率），从而提供高达12.8GB/s的峰值带宽（在x16配置下）。这种高速性能使得该芯片非常适合用于图形处理、视频编码解码、实时操作系统等对内存带宽敏感的应用领域。其内部架构由8个独立的Bank组成，每个Bank可单独进行激活、读写和预充电操作，极大提升了并发访问效率，减少了等待时间，提高了整体内存利用率。
　　其次，该芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）模式。在系统进入待机或休眠状态时，DRAM控制器可以触发自刷新命令，使芯片内部维持数据完整性的同时大幅降低电流消耗。这对于延长移动设备的电池续航时间至关重要。此外，其1.35V的工作电压相比传统DDR3的1.5V降低了约10%的功耗，进一步优化了系统的能效表现，符合现代绿色节能的设计趋势。
　　再者，K4B4G1646Q-BYK0 支持多种突发长度配置，如BL8（Burst Length 8）和BC4（Burst Chop 4），并支持顺序或交错式数据包裹模式（Sequential/Interleaved Wrap），允许系统根据不同的访问模式选择最优的数据传输方式，提升缓存命中率和内存控制器效率。CAS延迟（CL）可在CL9、CL10、CL11之间配置，兼容不同主控平台的时序需求，增强了系统的灵活性与适配能力。
　　最后，该芯片采用96-ball FBGA封装，具有优异的散热性能和电气特性，适用于高密度PCB布局。其符合RoHS环保标准，并通过严格的工业级温度测试（-40°C至+85°C），确保在极端环境下仍能稳定运行，适用于车载电子、工业控制、网络通信等多种严苛应用场景。

K4B4G1646Q-BYK0 广泛应用于对功耗和性能均有较高要求的电子产品中。典型应用包括中高端智能手机和平板电脑，作为主内存支持Android或iOS系统的流畅运行，尤其是在多任务处理、高清视频播放和大型游戏运行时发挥关键作用。此外，该芯片也常见于嵌入式计算平台，例如基于ARM架构的应用处理器系统（如Samsung Exynos、NXP i.MX系列）所配套的内存模块中，为智能电视、机顶盒、数字标牌等多媒体设备提供可靠的数据存储支持。
　　在网络通信设备方面，该芯片可用于路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备中，协助处理高速数据包转发和缓存操作。由于其具备工业级温度适应能力和高稳定性，也被应用于工业自动化控制系统、医疗成像设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及航空电子设备中。在消费类电子产品中，如便携式导航仪、智能穿戴设备的辅助处理单元，也可能采用此类低电压高性能DRAM以平衡功耗与性能需求。总之，任何需要紧凑型、低功耗且具备较高数据吞吐能力的系统均可考虑使用K4B4G1646Q-BYK0 作为其核心内存解决方案。

K4B4G1646F-BYK0
　　MIC4LS16M166B-15IT
　　IS43TR16256A-15DBI