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K4B4G1646E-BYK0 发布时间 时间:2025/5/8 19:51:20 查看 阅读:1

K4B4G1646E-BYK0 是三星(Samsung)推出的一款 DDR3L SDRAM 芯片,广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具备低功耗和高稳定性的特点,适合对内存性能要求较高的应用场景。
  DDR3L 是 DDR3 的一个低电压版本,工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更节能。K4B4G1646E-BYK0 提供了高速的数据传输速率和大容量的存储能力,是现代计算系统中的重要组成部分。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:4Gb (512MB x 8)
  组织结构:16M x 16 x 8 Banks
  电压:1.35V
  数据速率:1600 Mbps
  封装:FBGA 92-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1mm

特性

K4B4G1646E-BYK0 具有以下主要特性:
  1. 高速数据传输:支持高达 1600 Mbps 的数据速率,能够满足高性能计算的需求。
  2. 低功耗设计:工作电压为 1.35V,相较于传统的 DDR3 芯片降低了功耗,有助于延长电池寿命并减少散热需求。
  3. 大容量:单颗芯片容量达到 4Gb,提供了更高的存储密度。
  4. 稳定性:采用了先进的制造工艺,确保在各种环境下的稳定运行。
  5. 小型化封装:使用 FBGA 92-ball 封装,尺寸紧凑,适合空间受限的应用场景。
  6. 广泛的工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工作温度范围,适应多种环境条件。

应用

K4B4G1646E-BYK0 主要应用于以下领域:
  1. 笔记本电脑和超极本:
  由于其低功耗特性和高性能,K4B4G1646E-BYK0 是笔记本电脑和超极本的理想选择,能够提供快速的数据访问和较长的电池续航时间。
  2. 服务器和工作站:
  在服务器和工作站中,该芯片可以用于构建高密度内存模块,以支持多任务处理和大数据应用。
  3. 嵌入式系统:
  适用于工业控制、网络通信和消费类电子产品等嵌入式系统,提供可靠的内存解决方案。
  4. 游戏设备:
  在游戏主机和高端显卡中,K4B4G1646E-BYK0 可以为图形处理提供快速的数据传输和支持。

替代型号

K4B4G1646E-BCK0
  K4B4G1646F-BCA0
  K4B4G1646Q-BCK0

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