时间：2025/5/12 10:16:41
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K4B4G1646E-BMMA是三星（Samsung）推出的一款DDR3 SDRAM内存芯片，主要用于需要高性能数据处理的应用场景。该芯片采用先进的制程工艺制造，具有低功耗、高频率和大容量的特点，广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、服务器以及嵌入式系统中。
DDR3内存以其更快的数据传输速率和更低的功耗，相较于前代DDR2有了显著改进，成为当时主流的内存解决方案。
类型：DDR3 SDRAM
容量：4Gb (512MB x 8)
组织结构：512M x 8
核心电压(Vcc)：1.35V
I/O电压(Vccq)：1.35V
工作频率：1600MHz
封装形式：BGA 78-ball
数据宽度：x8
引脚间距：1.0mm
温度范围：0°C ~ 85°C
K4B4G1646E-BMMA采用DDR3技术，支持On-Die Termination (ODT)，以减少信号反射并提高信号完整性。
它具备自动刷新和自刷新功能，可以在系统待机时降低功耗。
该芯片还支持8位预取架构，使内部数据传输速率更高，从而实现更高的外部数据带宽。
同时，其采用了低温焊接工艺和更小尺寸的封装，使其非常适合对空间要求较高的应用环境。
此外，它在制造过程中严格控制了功耗，确保符合现代电子设备对节能的需求。
K4B4G1646E-BMMA主要应用于需要高性能存储的领域，例如：
个人计算机（PC）和笔记本电脑中的内存模块（DIMM 和 SO-DIMM）。
网络设备如路由器和交换机中的高速缓存。
工业控制和医疗设备中的数据存储与处理。
游戏主机和图形工作站等需要大量数据吞吐的应用场景。
嵌入式系统中的关键存储组件，如数字标牌、安防监控设备等。
K4B4G1646F-BMCA, K4B4G1646Q-BCK0
