时间：2025/8/6 13:09:09
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IXFN27N80是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源转换系统中。这款MOSFET具备高电流承载能力和较低的导通电阻，使其适用于如开关电源、逆变器和电机控制等高功率场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：27A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：约0.23Ω
最大功耗(Pd)：200W
栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V至6V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
IXFN27N80具有较低的导通电阻，可显著降低开关和导通损耗，提高整体系统效率。其高耐压能力（800V）使其适用于高电压应用，例如太阳能逆变器或工业电源。此外，该器件采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了在高应力环境下的可靠性。
此外，IXFN27N80具有快速开关特性，有助于减少高频应用中的开关损耗，提升系统的动态响应能力。该器件的结构设计优化了热阻，使其在高负载条件下仍能保持较低的温升。适用于多种拓扑结构，例如降压、升压、半桥和全桥变换器。其高可靠性和耐用性也使其成为工业自动化、电动汽车充电设备和不间断电源（UPS）等关键应用中的首选器件。
IXFN27N80广泛应用于高功率开关电源、DC-AC逆变器、电机控制、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等场景。该器件特别适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品设计。
IXFH27N80P, IXFN27N80Q, STF27NM80
