类型：DDR3 SDRAM
　　密度：4Gb（512MB）
　　组织结构：4G x 16位
　　工作电压：1.5V ± 0.075V
　　数据速率：最高可达2133 Mbps（DDR3-2133）
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 95°C（Tj）
　　刷新周期：标准自动刷新模式
　　时钟频率：最高1066MHz（差分时钟）
　　突发长度：支持BL8和BC4模式
　　CAS延迟（CL）：可配置，典型值为CL11或CL10
　　内部Bank数量：8个独立bank
　　逻辑Bank数量：4 bank groups
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.9mm
　　接口类型：SSTL_15

K4B4G1646D-BPH9具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR3产品中具有显著优势。首先，该芯片采用了8-bank架构设计，支持四组bank group（BG），这使得在同一时间可以激活更多页面并执行并行操作，从而大幅提升数据吞吐能力。这种架构特别适合高带宽需求的应用，如高清视频处理、实时图像渲染和大数据量缓存等场景。
　　其次，该器件支持DDR3-2133的数据传输速率，即每秒可实现2133百万次数据传输（MT/s），配合双倍数据率技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，有效提高了总线利用率。同时，它支持可变CAS延迟（CAS Latency, CL），允许系统根据实际工作频率和稳定性需求调整CL值，通常在CL10到CL11之间选择，以在性能与响应时间之间取得最佳平衡。
　　再者，K4B4G1646D-BPH9内置多种低功耗管理机制，包括自动预充电、部分阵列自刷新（PASR）、温度补偿自刷新（TCSR）以及深度掉电模式（Deep Power-down Mode）。这些功能可根据系统负载动态调节功耗，在待机或轻载状态下显著降低能耗，延长移动设备电池寿命，并减少散热压力。
　　此外，该芯片支持ZQ校准功能，可通过外部参考电阻（通常为240Ω）对输出驱动阻抗和ODT（片内终端）进行精确校正，确保信号完整性，尤其在高频运行下仍能维持稳定的读写时序。ZQ校准可在上电初始化阶段执行，也可周期性地重新校准以应对温度和电压漂移的影响。
　　最后，K4B4G1646D-BPH9符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适用于全球化生产与出口。其高可靠性和长期供货能力也使其成为工业控制、网络通信和消费类电子产品中的优选内存解决方案。

K4B4G1646D-BPH9广泛应用于多种高性能电子系统中。在个人计算领域，它常被用作台式机和笔记本电脑的内存模组核心组件，特别是在追求高带宽和多任务处理能力的中高端机型中表现优异。由于其支持DDR3-2133高速率，能够满足现代操作系统和大型应用程序对内存吞吐量的需求，例如虚拟机运行、视频剪辑和3D建模等资源密集型任务。
　　在服务器和数据中心方面，该芯片可用于制造UDIMM、RDIMM或LRDIMM内存条，服务于企业级服务器平台。其8bank架构和bank group设计有助于提高内存控制器的调度效率，降低访问冲突，提升整体系统响应速度。对于需要大量临时数据存储和快速检索的应用，如数据库服务、云计算节点和内存数据库（In-memory Database），该芯片提供了可靠的性能保障。
　　在网络通信设备中，K4B4G1646D-BPH9被广泛用于路由器、交换机和基站基带处理单元中，承担数据包缓存、队列管理和协议处理等功能。其低延迟特性和高稳定性确保了网络流量的高效转发，避免拥塞和丢包现象。
　　此外，在图形处理和多媒体设备中，该芯片也扮演重要角色。例如，在独立显卡或集成GPU系统中，它可以作为帧缓冲存储器的一部分，支持高分辨率显示输出和流畅的动画播放。在智能电视、机顶盒和数字标牌等消费类电子产品中，该芯片帮助实现了多窗口显示、4K视频解码和复杂UI渲染等功能。
　　工业自动化和嵌入式系统同样受益于该芯片的高性能与宽温特性。在PLC控制器、医疗成像设备、测试仪器和车载信息娱乐系统中，K4B4G1646D-BPH9能够在严苛环境下保持稳定运行，适应宽范围电源波动和温度变化，确保关键任务的连续性与可靠性。

K4B4G1646E-BYH9
　　K4B4G1646F-BYH9
　　MT41K512M16-H213
　　IS43TR16512B-213EBLF