时间：2025/6/6 0:57:58
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IRFL024ZTRPBF是英飞凌（Infineon）推出的N沟道逻辑电平MOSFET，采用PowerTrench技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载切换电路、电机驱动以及电池保护等场景。
此MOSFET的封装形式为TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺，能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：12nC
总电容（Ciss）：2680pF
工作温度范围：-55°C to 175°C
功耗：12W
IRFL024ZTRPBF具备极低的导通电阻，可以有效减少功率损耗并提高效率。其快速开关能力和低输入电容有助于降低开关损耗，同时提升系统动态响应能力。
此外，该器件采用了无铅设计，并符合RoHS标准，确保环保合规性。在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，非常适合工业及汽车领域对可靠性要求较高的应用场景。
该MOSFET适用于多种功率转换与控制场合，例如：
1. 开关电源中的同步整流电路
2. 便携式电子设备的负载开关
3. 电池管理系统中的充放电保护
4. 小型电机驱动及逆变器
5. 各类高效DC-DC转换器模块
由于其紧凑的封装和高性能表现，特别适合空间受限且需要高效节能方案的设计。
IRLZ24N, FDS8940
