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IRFL024ZTRPBF 发布时间 时间:2025/6/6 0:57:58 查看 阅读:4

IRFL024ZTRPBF是英飞凌(Infineon)推出的N沟道逻辑电平MOSFET,采用PowerTrench技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载切换电路、电机驱动以及电池保护等场景。
  此MOSFET的封装形式为TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,能够提供出色的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:12nC
  总电容(Ciss):2680pF
  工作温度范围:-55°C to 175°C
  功耗:12W

特性

IRFL024ZTRPBF具备极低的导通电阻,可以有效减少功率损耗并提高效率。其快速开关能力和低输入电容有助于降低开关损耗,同时提升系统动态响应能力。
  此外,该器件采用了无铅设计,并符合RoHS标准,确保环保合规性。在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,非常适合工业及汽车领域对可靠性要求较高的应用场景。

应用

该MOSFET适用于多种功率转换与控制场合,例如:
  1. 开关电源中的同步整流电路
  2. 便携式电子设备的负载开关
  3. 电池管理系统中的充放电保护
  4. 小型电机驱动及逆变器
  5. 各类高效DC-DC转换器模块
  由于其紧凑的封装和高性能表现,特别适合空间受限且需要高效节能方案的设计。

替代型号

IRLZ24N, FDS8940

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IRFL024ZTRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL024ZTRPBF-NDIRFL024ZTRPBFTR