LN2407B00FMR 时间：2025/9/12 13:12:57 阅读：7

LN2407B00FMR 是一款由 LRC（乐山无线电）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于高效率和高功率密度的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　RDS(on)（最大值）：5.3mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

LN2407B00FMR 采用先进的沟槽技术，具有非常低的导通电阻 RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的漏极电流能力高达 110A，适用于大电流负载的应用场景。此外，其 TO-263 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间正常工作，适合多种驱动电路设计。其较高的功率耗散能力（160W）使其能够应对高功率环境下的挑战。此外，LN2407B00FMR 的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级和汽车级应用场合。
　　该器件的封装形式为 TO-263（也称为 D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化装配流程。

应用

LN2407B00FMR 广泛应用于多种电源管理系统中，包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于高效率电源转换模块和电源管理单元。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。在工业自动化系统中，它可作为高边或低边开关，用于控制电机、电磁阀和继电器等高功率负载。此外，LN2407B00FMR 也常用于服务器电源、通信设备电源和工业控制板的功率管理电路中。