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K4B4G1646B-HYH9 发布时间 时间:2025/5/10 15:34:50 查看 阅读:12

K4B4G1646B-HYH9是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM内存颗粒芯片,主要应用于计算机、服务器和其他需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高带宽和低功耗的特点,能够满足现代计算平台对数据处理速度和能效的需求。
  这款芯片支持DDR3标准规范,提供稳定的数据传输性能,同时其封装形式为BGA(球栅阵列封装),便于在各种主板和模块上的集成与使用。

参数

容量:4Gb
  接口类型:DDR3
  组织方式:512M x 8
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装形式:BGA
  I/O配置:BGAF(78ball)
  温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

K4B4G1646B-HYH9是一款高性能的DDR3内存芯片,具有以下特点:
  1. 支持DDR3规范,提供高达1600Mbps的数据传输速率,确保快速的数据交换能力。
  2. 采用低功耗设计,典型工作电压为1.35V,有助于降低整体系统能耗。
  3. 具备高可靠性和稳定性,能够在广泛的温度范围内正常运行,适应多种工作环境。
  4. 封装形式为BGA,便于实现高密度的电路板布局,提升空间利用率。
  5. 内部结构优化,具备良好的信号完整性和抗干扰性能,适合高性能计算应用。

应用

K4B4G1646B-HYH9广泛应用于各类需要高性能内存的场合,包括但不限于:
  1. 台式电脑和笔记本电脑中的内存条组件。
  2. 工业控制设备中的数据存储模块。
  3. 网络通信设备中的高速缓存单元。
  4. 医疗成像设备和科学仪器中的数据处理部件。
  5. 服务器和数据中心中的大容量内存扩展解决方案。

替代型号

K4B4G1646D-HYH9, K4B4G1646Q-HYF9

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