K4B4G1646B-HYH9是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM内存颗粒芯片,主要应用于计算机、服务器和其他需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高带宽和低功耗的特点,能够满足现代计算平台对数据处理速度和能效的需求。
这款芯片支持DDR3标准规范,提供稳定的数据传输性能,同时其封装形式为BGA(球栅阵列封装),便于在各种主板和模块上的集成与使用。
容量:4Gb
接口类型:DDR3
组织方式:512M x 8
工作电压:1.35V
数据速率:1600Mbps
封装形式:BGA
I/O配置:BGAF(78ball)
温度范围:-40°C ~ +85°C
K4B4G1646B-HYH9是一款高性能的DDR3内存芯片,具有以下特点:
1. 支持DDR3规范,提供高达1600Mbps的数据传输速率,确保快速的数据交换能力。
2. 采用低功耗设计,典型工作电压为1.35V,有助于降低整体系统能耗。
3. 具备高可靠性和稳定性,能够在广泛的温度范围内正常运行,适应多种工作环境。
4. 封装形式为BGA,便于实现高密度的电路板布局,提升空间利用率。
5. 内部结构优化,具备良好的信号完整性和抗干扰性能,适合高性能计算应用。
K4B4G1646B-HYH9广泛应用于各类需要高性能内存的场合,包括但不限于:
1. 台式电脑和笔记本电脑中的内存条组件。
2. 工业控制设备中的数据存储模块。
3. 网络通信设备中的高速缓存单元。
4. 医疗成像设备和科学仪器中的数据处理部件。
5. 服务器和数据中心中的大容量内存扩展解决方案。
K4B4G1646D-HYH9, K4B4G1646Q-HYF9