型号：K4B4G1646B-HIH9
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3L SDRAM
　　存储容量：4 Gb (512 MB)
　　组织结构：4 banks × 16,777,216 rows × 16 bits
　　电压：1.35V ± 0.1V (VDD/VDDQ)，2.5V/2.3V/1.8V (VDDQ for CA)
　　工作温度：0°C 至 95°C (Case Temperature)
　　封装类型：FBGA, 96-ball
　　数据速率：1600 MT/s, 2133 MT/s (DDR3L-1600/DDR3L-2133)
　　时钟频率：800 MHz / 1066 MHz
　　I/O 总线宽度：16位
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, TCSR, PASR
　　兼容标准：JEDEC DDR3L SDRAM Standard
　　CAS 延迟（CL）：CL11, CL10, CL9 可配置
　　突发长度：8 (BL8), BC4 with Fly-by Write

K4B4G1646B-HIH9 具备多项先进的功能和设计优化，使其成为现代低功耗高性能系统的理想选择。首先，其采用的DDR3L（Low Voltage DDR3）技术可在1.35V电压下运行，相比传统1.5V DDR3内存降低了约20%的功耗，这对于电池供电设备如笔记本电脑、平板和移动终端至关重要。这种电压适应性不仅提升了能源效率，也减少了热量产生，有助于简化热管理设计并延长设备使用寿命。
　　其次，该芯片支持多种节能模式，包括温度补偿自刷新（TCSR），可根据实际芯片温度动态调整自刷新周期，在高温环境下保持数据完整性的同时避免过度刷新；部分阵列自刷新（PASR）则允许仅对正在使用的存储区域进行刷新，进一步减少不必要的功耗。这些机制使得K4B4G1646B-HIH9在待机或轻负载状态下仍能维持极低的能耗水平。
　　再者，其内部集成的延迟锁定环（DLL）能够精确控制读写时序，确保在高频操作下的信号完整性和数据同步性能，从而支持高达2133 MT/s的数据传输速率。此外，该器件采用飞线写入（Fly-by Write）架构和命令/地址信号的“fly-by”拓扑布线支持，有效提升了高速信号的传输质量，降低了串扰和反射问题，特别适合高密度PCB布局。
　　封装方面，96-ball FBGA的小型化设计使其占用极小的PCB面积，便于在紧凑型设备中实现高集成度布局。同时，该芯片具备良好的可靠性和抗干扰能力，符合工业级应用的稳定性需求。综合来看，K4B4G1646B-HIH9 在性能、功耗、尺寸和可靠性之间实现了优异平衡，是许多高端嵌入式和移动计算平台中的关键组件。

K4B4G1646B-HIH9 主要应用于对功耗敏感且需要较高内存带宽的电子系统中。典型使用场景包括移动计算设备如超极本（Ultrabook）、二合一平板电脑和轻薄型笔记本电脑，其中低电压特性和高数据吞吐能力可显著提升系统响应速度与电池续航时间。此外，该芯片也广泛用于智能手机和平板电脑中的多芯片封装（MCP）或封装堆叠（PoP）结构，作为主处理器外部扩展RAM的一部分，提供快速的数据缓存与临时存储支持。
　　在工业控制与自动化领域，K4B4G1646B-HIH9 被用于人机界面（HMI）、工业平板、嵌入式控制器和智能网关等设备中，满足长时间稳定运行和宽温工作的需求。其支持的自刷新与温度补偿机制确保了在复杂电磁环境和温度波动下的数据可靠性。
　　此外，该芯片还可用于网络通信设备，例如路由器、交换机和家庭网关，用于处理高速数据包缓存和协议处理任务。在消费类电子产品如数字电视、机顶盒和游戏手持设备中，K4B4G1646B-HIH9 提供了足够的内存带宽来支持高清视频解码与图形渲染。得益于其小型封装和高兼容性，它也被集成到各类模块化系统（SoM）和核心板中，服务于物联网（IoT）、边缘计算和智能终端市场。

K4B4G1646D-HCH9
　　K4B4G1646F-HCJ0
　　MT41K256M16JT-125:A
　　W9425G6KH-12