时间：2025/7/11 14:48:21
阅读：13
MA0402CG5R6C160 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，适用于高频、高效能的电力电子应用。该器件采用先进的封装技术，能够显著提升系统效率和功率密度。其设计针对高开关频率下的低损耗性能进行了优化，特别适合于开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。
该型号由知名半导体制造商生产，结合了卓越的电气特性和可靠性，确保在严苛环境下的稳定运行。
型号：MA0402CG5R6C160
类型：功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650V
额定电流：16A
导通电阻：5.6mΩ
栅极电荷：80nC
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
MA0402CG5R6C160 拥有以下关键特性：
1. 超低导通电阻 (5.6mΩ)，可有效降低传导损耗。
2. 高开关速度和低栅极电荷 (80nC)，支持高频操作并减少开关损耗。
3. 高击穿电压 (650V)，确保在高压条件下的可靠运行。
4. 具备出色的热性能，允许更高的功率密度和更小的散热设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。
6. 内置 ESD 保护功能，提高整体系统稳定性。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器，尤其是用于电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
3. 太阳能逆变器中的功率级控制。
4. 工业电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 快速充电器和无线充电设备。
6. 高效 LED 驱动器和电信基础设施中的电源模块。
MA0402CG5R6C120, MA0402CG5R6C180, MA0402CG5R6C200
