类型：DDR3 SDRAM
　　密度：2Gb（256MB）
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　I/O电压：1.5V
　　最大频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps（DDR）
　　访问时间：约10ns（CL=11）
　　工作温度：0°C 至 +95°C（结温）
　　存储温度：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：FBGA，96-ball
　　引脚间距：0.8mm
　　数据总线宽度：16位
　　Bank数量：4
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　突发长度：BL=8（固定或通过模式寄存器设置）
　　CAS延迟（CL）：可配置为CL9/CL10/CL11
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm

K4B2G164B-HCH9具备多项先进特性，确保其在高带宽应用中的卓越性能与稳定性。首先，该芯片支持DDR3标准所定义的预取架构（8-bit Prefetch），通过在一个时钟周期内传输8位数据来提升数据吞吐率，从而实现高达1600Mbps的数据传输速率。其内部采用多Bank架构设计（共4个Bank），允许交替访问不同的Bank以减少等待时间，提高连续读写效率。此外，器件支持多种突发操作模式，包括突发长度为8的顺序和交错模式，用户可通过模式寄存器进行灵活配置，适应不同应用场景下的数据流需求。
　　在功耗管理方面，K4B2G164B-HCH9集成了多种省电机制。例如，它支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，在系统空闲时自动维持数据完整性的同时降低功耗。更进一步地，该芯片还具备温度补偿自刷新（TCSR）技术，可根据芯片内部温度动态调整刷新频率，避免高温下因漏电增加而导致的数据丢失风险，同时在低温环境下减少不必要的刷新次数，从而显著降低平均功耗。这对于长时间运行的嵌入式系统或移动设备尤为重要。
　　电气特性上，K4B2G164B-HCH9工作于标准1.5V电源电压，相较于前代DDR2降低了约20%的功耗，并支持ODT（On-Die Termination）片上终端电阻，可在读写过程中自动启用内部匹配阻抗，减少信号反射和噪声干扰，提升信号完整性。其输出驱动强度也可通过模式寄存器调节，适应不同PCB走线长度和负载条件。该芯片还具备可编程CAS延迟（CL9/CL10/CL11）、加写延迟（AL）和写入恢复时间等参数，便于系统设计者根据时序要求进行优化配置。
　　可靠性方面，K4B2G164B-HCH9经过严格的质量测试，符合工业级温度范围要求（0°C至+95°C结温），可在恶劣环境下稳定运行。其FBGA封装具有优异的热传导性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适用于自动化量产环境。整体而言，这款DDR3芯片结合了高速、低功耗与高可靠性的特点，是中高端图形和通信类设备的理想选择。

K4B2G164B-HCH9主要应用于对内存带宽和响应速度要求较高的电子系统中。最常见的用途是在独立显卡和集成图形处理器中作为显存（VRAM）使用，用于存储帧缓冲区、纹理数据和Z-buffer信息，支持高清视频渲染、3D建模和游戏画面的流畅显示。由于其1600Mbps的高数据速率和低延迟特性，特别适合处理大规模并行图像数据，提升GPU的整体图形处理能力。
　　此外，该芯片也广泛用于网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，作为数据包缓存或队列管理的临时存储单元，保障高速数据转发过程中的低延迟和高吞吐量。在嵌入式视觉系统、工业相机和机器视觉控制器中，K4B2G164B-HCH9可用于实时图像采集与处理，满足高速成像传感器的数据暂存需求。
　　在消费类电子产品中，部分高端智能电视、数字机顶盒和多媒体播放器也会采用此类DDR3芯片来增强系统的多任务处理能力和视频解码性能。同时，因其具备工业级温度适应性和长期运行稳定性，K4B2G164B-HCH9也被应用于工控主板、医疗成像设备和车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的领域。总之，凡是需要高性能、小体积、低功耗动态存储器的场合，K4B2G164B-HCH9都是一个极具竞争力的选择。

K4B2G164EB-HCH9
　　MT41J256M16HA-125:A
　　EM6A8200T-25D
　　K4B2G1646E-HC00