型号：K4B2G1646Q-BYMA
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　容量：512Mb (64MB)
　　组织结构：8M x 16bit x 8 banks
　　数据速率：1600 Mbps (MT/s)
　　工作电压：1.35V ~ 1.5V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作温度范围：0°C 至 95°C (Tj)
　　时序参数（CL-tRCD-tRP）：11-11-11
　　接口类型：CMOS
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
　　特性功能：On-Die Termination (ODT), Partial Array Self Refresh (PASR), Deep Power-down Mode

K4B2G1646Q-BYMA 具备多项先进特性，显著提升了其在高性能应用中的可靠性和能效表现。首先，该芯片支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够根据芯片结温动态调整自刷新速率，在高温环境下加快刷新频率以保证数据完整性，而在低温下则减缓刷新周期以降低功耗，这一机制有效平衡了稳定性与节能需求，特别适用于无主动散热或温变剧烈的工业与户外设备。
　　其次，器件集成有片上终端（ODT, On-Die Termination），可在读写操作期间启用内部匹配电阻，消除由于阻抗不匹配引起的信号反射问题，从而提升高速信号传输的质量，减少对外部终端电阻的依赖，简化PCB布局设计并节省板级空间。此外，该芯片支持部分阵列自刷新（PASR）功能，允许用户选择性地关闭某些存储体的刷新操作，进一步降低待机状态下的功耗，尤其适用于移动设备中短暂休眠但仍需保留关键数据的场景。
　　再者，K4B2G1646Q-BYMA 支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下芯片几乎停止所有内部操作，仅维持最基本的供电监控，实现极低静态电流消耗，非常适合电池供电设备在长时间待机时使用。其双电压兼容设计（1.35V~1.5V）使其既能兼容标准DDR3控制器，也能在支持DDR3L的平台上运行，增强了系统设计的灵活性。最后，该器件遵循严格的JEDEC DDR3标准，确保跨平台互操作性，并通过了高可靠性测试流程，适用于对长期稳定性要求较高的通信基站、网络交换机和工业控制设备。

K4B2G1646Q-BYMA 广泛应用于对内存性能和功耗控制有较高要求的电子系统中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑等移动计算设备，其中其低电压特性和多种节能模式可显著延长电池续航时间；在网络通信领域，如路由器、交换机和基站设备中，该芯片提供稳定的高带宽数据缓存能力，保障数据包的快速转发与处理效率。
　　此外，它也被广泛用于数字电视、机顶盒、智能监控摄像头等消费类视听产品中，作为图像帧缓冲或视频解码的临时存储单元，支持高清乃至全高清内容的流畅播放。在嵌入式系统和工业自动化设备中，例如人机界面（HMI）、PLC控制器和POS终端，K4B2G1646Q-BYMA 凭借其高可靠性和宽温工作能力，能够在恶劣环境下持续稳定运行。同时，该芯片还可用于中低端图形处理器或FPGA协处理模块中，作为外部显存使用，满足实时图像处理对带宽的基本需求。得益于其紧凑的FBGA封装和良好的信号完整性设计，该器件也适合高密度PCB布局，适用于空间受限的小型化电子产品设计。

K4B2G1646F-BYMA
　　MTC256K16D1SG4-16CS