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K4B2G1646F-BHMA 发布时间 时间:2025/6/5 21:33:04 查看 阅读:10

K4B2G1646F-BHMA是三星(Samsung)生产的一款DDR3 SDRAM内存颗粒,广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高带宽和低功耗的特点,适合多种应用场景。
  该型号属于绿色产品,符合RoHS标准,确保环保与可靠性。其设计旨在满足现代计算系统对快速数据传输和高效能处理的需求。

参数

容量:2Gb (256Mb x 8)
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装类型:BGA 78-ball
  I/O标准:DDR3
  组织结构:256M x 8bits
  温度范围:-40°C ~ +85°C
  访问时间:CL=11

特性

K4B2G1646F-BHMA采用DDR3技术,提供高速数据传输能力,支持高达1600Mbps的数据速率。
  其低工作电压(1.35V)有效降低了能耗,延长了电池寿命并减少了散热需求。
  该芯片具有良好的稳定性和可靠性,能够在广泛的温度范围内正常运行。
  BGA封装形式提供了优越的电气性能和机械强度,同时节省了PCB空间。
  此外,它还支持突发长度为8(BL=8)的操作模式,从而优化了数据读写效率。

应用

K4B2G1646F-BHMA适用于各种需要大容量和高性能存储的应用场景,包括但不限于:
  台式电脑和笔记本电脑内存条
  服务器和工作站
  网络设备
  工业控制和嵌入式系统
  图形处理单元(GPU)辅助存储
  消费类电子产品中的高性能模块

替代型号

K4B2G1646D-BHIH
  K4B2G1646Q-BHIH
  K4B2G1646F-BHMC

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